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Preis ohne MwSt |
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FDS8978 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8984 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1059 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS8949-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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KSE44H11 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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KSE44H11TU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60 DC-Stromverstärkung hFE: 60 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.67 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
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FQT5P10TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Verlustleistung: 2 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDBL9403-F085T6 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 159.6W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDBL9403L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 357.1W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDBL9403L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 357.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 357.1W Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDBL0090N40 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SHN1B01FDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCS21801SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Spannungsanstieg: 0.7V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: -888 Bandbreite: 1.5MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2694 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQP45N15V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 647 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SD1803S-H. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140 DC-Stromverstärkung hFE: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1803 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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2SD1803S-TL-E. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140 DC-Stromverstärkung hFE: 140 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1803 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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2SD1803T-E. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1803 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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NC7WZ04P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7WZ Bauform - Logikbaustein: SC-70 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 32mA MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: 7W04 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 16643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NC7WZ04P6X. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL Logik-IC-Familie: NC7W Bauform - Logikbaustein: SC-70 Ausgangsstrom: 32 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FDS9431A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4067 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS9400A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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FPDB40PH60B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3 tariffCode: 85423990 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: SPM3 rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 2.5kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 40A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: SPMGC-027 Produktpalette: PFC SPM 3 Series SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FPDB60PH60B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FCD360N65S3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCD380N60E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCD850N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 75 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FCD850N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 75 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 75 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FCD1300N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 52 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 52 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FCD600N65S3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FCD2250N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 2.6 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 39 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 39 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FCD260N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 90 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 90 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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| FCD260N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 90 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 90 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET III Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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| FCD1300N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 4 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 52 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 52 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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| FCD2250N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK) Verlustleistung: 39 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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1N457TR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N457TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1 Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 1N457T Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCV33269DTRK3.3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK3.3G - LDO VOLTAGE REGULATORS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCV33269DTRK5.0G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCV33269DTRKG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NCV33269DT-5.0G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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NCV33269DTRK-12G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCV33269DR2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZX79C3V6 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FNB41060B2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES SVHC: Lead (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FSV2060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSV20120V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 270A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSV2060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 320A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FSV20120V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277 Durchlassstoßstrom: 270A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 7363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86580-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC610PZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 19345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDB024N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 395 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB024N06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 395 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FYP1010DNTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FYP1010DNTU - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDB060AN08A0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV20074DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV20074DR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2.4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 1.3mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV20074DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: TSSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: 2.7 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: - Bandbreite: 3 Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCV20074DTBR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SZBZX84B5V1LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C Zener-Spannung, nom.: 5.1 Verlustleistung: 250 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Diode: SOT-23 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 28079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBPC1202 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GBPC1202 - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC tariffCode: 85412100 Durchlassstoßstrom: 0 rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 0 Bauform - Brückengleichrichter: Module usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: 0 Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
auf Bestellung 293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD363YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NZT605 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NZT605 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 110 V, 1.5 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110 Verlustleistung: 1 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1901 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| FDS8978 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDS8984 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1059 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDS8949-F085 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| KSE44H11 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| KSE44H11TU |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| FQT5P10TF |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDBL9403-F085T6 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159.6W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 159.6W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1571 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDBL9403L-F085 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDBL9403L-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDBL0090N40 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| SHN1B01FDW1T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCS21801SQ3T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FQP45N15V2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SD1803S-H. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| 2SD1803S-TL-E. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| 2SD1803T-E. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| NC7WZ04P6X |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NC7WZ04P6X. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDS9431A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDS9400A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| FPDB40PH60B |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 40A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMGC-027
Produktpalette: PFC SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 40A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMGC-027
Produktpalette: PFC SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FPDB60PH60B |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD360N65S3R0 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FCD380N60E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FCD850N80Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD850N80Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD1300N80Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD600N65S3R0 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD2250N80Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 39
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 39
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 39
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 39
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD260N65S3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD260N65S3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD1300N80Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FCD2250N80Z |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| 1N457TR |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N457TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N457T
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 1N457TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N457T
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV33269DTRK3.3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK3.3G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK3.3G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV33269DTRK5.0G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV33269DTRKG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV33269DT-5.0G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV33269DTRK-12G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV33269DR2G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BZX79C3V6 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FNB41060B2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| FSV2060L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FSV20120V |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FSV2060L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FSV20120V |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDD86580-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDC610PZ |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDC610PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.036 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 19345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDB024N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDB024N06 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 395
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 395
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| FYP1010DNTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FYP1010DNTU - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FYP1010DNTU - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDB060AN08A0 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV20074DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV20074DR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCV20074DR2G - Operationsverstärker, RRO, 4 Kanäle, 3 MHz, 2.4 V/µs, 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V, NSOIC
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 1.3mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NCV20074DTBR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 2.7
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V, ± 1.35V bis ± 18V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: TSSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 2.7
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 3
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV20074DTBR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV20074DTBR2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Ausgang, 4 Verstärker, 3 MHz, 2.7 V/µs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| SZBZX84B5V1LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 5.1
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - SZBZX84B5V1LT1G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 5.1
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: SZBZX84BxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 28079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| GBPC1202 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GBPC1202 - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC
tariffCode: 85412100
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 0
Bauform - Brückengleichrichter: Module
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: 0
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - GBPC1202 - BRIDGE RECTIFIER, SINGLE PHASE, 12A, 200V QC
tariffCode: 85412100
Durchlassstoßstrom: 0
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 0
Bauform - Brückengleichrichter: Module
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: 0
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KSD363YTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NZT605 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NZT605 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 110 V, 1.5 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110
Verlustleistung: 1
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NZT605 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 110 V, 1.5 A, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 110
Verlustleistung: 1
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)