FDBL9403-F085T6 onsemi
Hersteller: onsemiMOSFET Power MOSFET, Single N-Channel, TOLL, 40 V, 0.95 mohm, 325 A Power MOSFET, Single N-Channel, TOLL, 40 V, 0.95 mohm, 300 A
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Technische Details FDBL9403-F085T6 onsemi
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 159.6W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDBL9403-F085T6 nach Preis ab 7.25 EUR bis 10.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FDBL9403-F085T6 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A/300A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 159.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6985 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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FDBL9403-F085T6 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 159.6W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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FDBL9403-F085T6 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.00084 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 159.6W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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| FDBL9403-F085T6 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FDBL9403-F085T6 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDBL9403-F085T6 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A/300A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 159.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6985 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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