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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NDC7003P NDC7003P ONSEMI NDC7003P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.34A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NDP6060L NDP6060L ONSEMI NDB6060L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NDS0605 NDS0605 ONSEMI NDS0605.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
274+ 0.26 EUR
352+ 0.2 EUR
541+ 0.13 EUR
1147+ 0.062 EUR
1214+ 0.059 EUR
6000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 200
NDS0610 NDS0610 ONSEMI NDS0610.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
197+ 0.36 EUR
306+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 152
NDS331N NDS331N ONSEMI NDS331N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Kind of channel: enhanced
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 210/160mΩ
Drain current: 1.3A
Drain-source voltage: 20V
Gate charge: 3.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
167+0.43 EUR
198+ 0.36 EUR
302+ 0.24 EUR
320+ 0.22 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 167
NDS332P NDS332P ONSEMI FAIR-S-A0000083510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Kind of channel: enhanced
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.74Ω
Drain current: -1A
Drain-source voltage: -20V
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
190+ 0.38 EUR
226+ 0.32 EUR
279+ 0.26 EUR
295+ 0.24 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 157
NDS352AP NDS352AP ONSEMI NDS352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
215+0.34 EUR
240+ 0.3 EUR
295+ 0.24 EUR
310+ 0.23 EUR
3000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 215
NDS355AN NDS355AN ONSEMI NDS355AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 1.7A
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
83+0.87 EUR
159+ 0.45 EUR
225+ 0.32 EUR
238+ 0.3 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 83
NDS7002A NDS7002A ONSEMI NDS7002A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
675+0.11 EUR
750+ 0.098 EUR
975+ 0.075 EUR
1025+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 675
NDS9945 NDS9945 ONSEMI NDS9945.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NDS9948 NDS9948 ONSEMI NDS9948.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
55+1.3 EUR
128+ 0.56 EUR
154+ 0.47 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 55
NDS9952A NDS9952A ONSEMI nds9952a-d.pdf FAIRS16211-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.7/-2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 130/210mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NDT2955 NDT2955 ONSEMI NDT2955-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
109+ 0.66 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91
NDT3055L NDT3055L ONSEMI NDT3055L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NDT451AN NDT451AN ONSEMI NDT451AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.2A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.27 EUR
59+ 1.23 EUR
81+ 0.89 EUR
86+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32
NDT452AP NDT452AP ONSEMI ndt452ap-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.92 EUR
74+ 0.97 EUR
97+ 0.74 EUR
103+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NDUL03N150CG ONSEMI ena2218-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NE5532D8R2G NE5532D8R2G ONSEMI ne5532-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 10MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NE592D8R2G NE592D8R2G ONSEMI ne592-d.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; reel,tape
Type of integrated circuit: video amplifier
Bandwidth: 120MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Voltage supply range: ± 8V DC
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 40µA
Input offset current: 6µA
Gain: 100V/V; 400V/V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NFAM5065L4BT ONSEMI NFAM5065L4BT-D.PDF Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 50A; Ch: 6
Collector-emitter voltage: 650V
Case: DIP39 (54x31)
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Output current: 50A
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Operating voltage: 13...18.5/0...400V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG ONSEMI NGTB25N120FL2WG.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NGTB40N120FL3WG ONSEMI ngtb40n120fl3w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G ONSEMI MJD31_MJD32.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NJVMJD44H11RLG NJVMJD44H11RLG ONSEMI MJD44H11_MJD45H11.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.3 EUR
25+ 2.86 EUR
29+ 2.46 EUR
79+ 0.9 EUR
500+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5
NJVNJD2873T4G ONSEMI njd2873t4-d.pdf NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
NJW0281G NJW0281G ONSEMI NJW0281_NJW0302.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.15 EUR
18+ 3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
NJW0302G NJW0302G ONSEMI NJW0281_NJW0302.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.7 EUR
22+ 3.35 EUR
28+ 2.56 EUR
30+ 2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20
NJW1302G NJW1302G ONSEMI njw3281-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+5.99 EUR
14+ 5.39 EUR
18+ 4.13 EUR
19+ 3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 12
NJW21193G NJW21193G ONSEMI NJW21193_4.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Application: automotive industry
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Frequency: 4MHz
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO3P
Collector-emitter voltage: 250V
Mounting: THT
Current gain: 20...80
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
17+ 4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 15
NJW21194G NJW21194G ONSEMI NJW21193_4.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO3P
Mounting: THT
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...80
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.71 EUR
14+ 5.13 EUR
19+ 3.93 EUR
20+ 3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NJW3281G NJW3281G ONSEMI njw3281-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SG02DFT2G ONSEMI NL17SG02-D.PDF NL17SG02DFT2G Gates, inverters
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
146+0.49 EUR
926+ 0.077 EUR
981+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 146
NL17SG04P5T5G ONSEMI nl17sg04-d.pdf NL17SG04P5T5G Gates, inverters
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SG07DFT2G NL17SG07DFT2G ONSEMI NL17SG07-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; MiniGate; NL
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer
Number of channels: 1
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: open drain
Technology: CMOS
Family: NL
Manufacturer series: MiniGate
Number of inputs: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.5 EUR
171+ 0.42 EUR
210+ 0.34 EUR
262+ 0.27 EUR
348+ 0.21 EUR
511+ 0.14 EUR
962+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 145
NL17SG08DFT2G ONSEMI nl17sg08-d.pdf NL17SG08DFT2G Gates, inverters
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SG125DFT2G NL17SG125DFT2G ONSEMI NL17SG125-D.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bus buffer; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; NL
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MiniGate
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: 3-state
Number of inputs: 2
Case: SC88A
Family: NL
Kind of integrated circuit: 3-state; bus buffer
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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NL17SG14DFT2G ONSEMI nl17sg14-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; SC88A; 0.9÷3.6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 10µA
Technology: CMOS
Number of inputs: 1
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of gate: NOT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NL17SG32DFT2G ONSEMI nl17sg32-d.pdf NL17SG32DFT2G Gates, inverters
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NL17SG32P5T5G ONSEMI nl17sg32-d.pdf NL17SG32P5T5G Gates, inverters
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NL17SV04XV5T2G ONSEMI nl17sv04-d.pdf NL17SV04XV5T2G Gates, inverters
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NL17SV08XV5T2G ONSEMI nl17sv08-d.pdf NL17SV08XV5T2G Gates, inverters
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128+0.56 EUR
807+ 0.089 EUR
863+ 0.083 EUR
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NL17SV16XV5T2G ONSEMI nl17sv16-d.pdf NL17SV16XV5T2G Buffers, transceivers, drivers
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NL17SV32XV5T2G ONSEMI nl17sv32-d.pdf NL17SV32XV5T2G Gates, inverters
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NL17SZ00DFT2G ONSEMI nl17sz00-d.pdf NL17SZ00DFT2G Gates, inverters
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NL17SZ02DFT2G ONSEMI nl17sz02-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: single; 1
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Number of inputs: 2
Case: SC88A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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NL17SZ04DFT2G NL17SZ04DFT2G ONSEMI NL17SZ04DFT2G.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 1
Kind of gate: NOT
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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NL17SZ04XV5T2G ONSEMI nl17sz04-d.pdf NL17SZ04XV5T2G Gates, inverters
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ06DFT2G ONSEMI nl17sz06-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: open drain
Quiescent current: 10µA
Number of inputs: 1
Kind of gate: NOT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NL17SZ06XV5T2G ONSEMI NL17SZ06-D.PDF nl17sz06-d.pdf NL17SZ06XV5T2G Gates, inverters
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NL17SZ07DFT2G
+1
 		NL17SZ07DFT2G ONSEMI NL17SZ07DFT2G.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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NL17SZ07XV5T2G ONSEMI nl17sz07-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SOT553; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT553
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: open drain
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 12000 Stücke
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NL17SZ08DFT2G ONSEMI nl17sz08-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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NL17SZ08XV5T2G ONSEMI nl17sz08-d.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SOT553; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SOT553
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NL17SZ125DFT2G ONSEMI nl17sz125-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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NL17SZ125DTT1G NL17SZ125DTT1G ONSEMI nl17sz125-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; TSOP5; 1.65÷5.5VDC
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Quiescent current: 10µA
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NL17SZ125XV5T2G ONSEMI NL17SZ125-D.PDF Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SOT553; 1.65÷5.5VDC
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Quiescent current: 10µA
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Mounting: SMD
Case: SOT553
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NL17SZ14XV5T2G ONSEMI nl17sz14-d.pdf NL17SZ14XV5T2G Gates, inverters
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NL17SZ16DFT2G ONSEMI nl17sz16-d.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NL17SZ16XV5T2G ONSEMI nl17sz16-d.pdf NL17SZ16XV5T2G Buffers, transceivers, drivers
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NL17SZ17DFT2G ONSEMI nl17sz17-d.pdf NL17SZ17DFT2G Buffers, transceivers, drivers
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NDC7003P NDC7003P.pdf
NDC7003P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.34A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NDP6060L NDB6060L.pdf
NDP6060L
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NDS0605 NDS0605.pdf
NDS0605
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.18A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.18A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.36 EUR
274+ 0.26 EUR
352+ 0.2 EUR
541+ 0.13 EUR
1147+ 0.062 EUR
1214+ 0.059 EUR
6000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 200
NDS0610 NDS0610.pdf
NDS0610
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.12A; 0.36W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -120mA
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 197 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
152+0.47 EUR
197+ 0.36 EUR
306+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 152
NDS331N NDS331N.pdf
NDS331N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; 0.5/0.46W; SOT23
Kind of channel: enhanced
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5/0.46W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 210/160mΩ
Drain current: 1.3A
Drain-source voltage: 20V
Gate charge: 3.5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1755 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
167+0.43 EUR
198+ 0.36 EUR
302+ 0.24 EUR
320+ 0.22 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 167
NDS332P FAIR-S-A0000083510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NDS332P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; 0.5W; SuperSOT-3
Kind of channel: enhanced
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.74Ω
Drain current: -1A
Drain-source voltage: -20V
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1769 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
157+0.46 EUR
190+ 0.38 EUR
226+ 0.32 EUR
279+ 0.26 EUR
295+ 0.24 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 157
NDS352AP NDS352AP.pdf
NDS352AP
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.9A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
215+0.34 EUR
240+ 0.3 EUR
295+ 0.24 EUR
310+ 0.23 EUR
3000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 215
NDS355AN NDS355AN.pdf
NDS355AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 1.7A
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5nC
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
83+0.87 EUR
159+ 0.45 EUR
225+ 0.32 EUR
238+ 0.3 EUR
3000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 83
NDS7002A NDS7002A.pdf
NDS7002A
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 1475 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
675+0.11 EUR
750+ 0.098 EUR
975+ 0.075 EUR
1025+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 675
NDS9945 NDS9945.pdf
NDS9945
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NDS9948 NDS9948.pdf
NDS9948
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
55+1.3 EUR
128+ 0.56 EUR
154+ 0.47 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 55
NDS9952A nds9952a-d.pdf FAIRS16211-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NDS9952A
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.7/-2.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 130/210mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NDT2955 NDT2955-dte.pdf
NDT2955
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7053 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
91+0.79 EUR
109+ 0.66 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
500+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 91
NDT3055L NDT3055L.pdf
NDT3055L
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NDT451AN NDT451AN.pdf
NDT451AN
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.2A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3686 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.27 EUR
59+ 1.23 EUR
81+ 0.89 EUR
86+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32
NDT452AP ndt452ap-d.pdf
NDT452AP
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
38+1.92 EUR
74+ 0.97 EUR
97+ 0.74 EUR
103+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 38
NDUL03N150CG ena2218-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 50W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NE5532D8R2G ne5532-d.pdf
NE5532D8R2G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 10MHz; Ch: 2; SO8; ±3÷20VDC; reel,tape
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 10MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Voltage supply range: ± 3...20V DC
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NE592D8R2G ne592-d.pdf
NE592D8R2G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: video amplifier; 120MHz; Ch: 2; SO8; 100V/V,400V/V; reel,tape
Type of integrated circuit: video amplifier
Bandwidth: 120MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 2
Case: SO8
Operating temperature: 0...70°C
Voltage supply range: ± 8V DC
Kind of package: reel; tape
Input bias current: 40µA
Input offset current: 6µA
Gain: 100V/V; 400V/V
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NFAM5065L4BT NFAM5065L4BT-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor; 50A; Ch: 6
Collector-emitter voltage: 650V
Case: DIP39 (54x31)
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Output current: 50A
Operating temperature: -40...125°C
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Operating voltage: 13...18.5/0...400V
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 6
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NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG.pdf
NGTB25N120FL2WG
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
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NGTB40N120FL3WG ngtb40n120fl3w-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 227W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 212nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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NJVMJD31CT4G MJD31_MJD32.pdf
NJVMJD31CT4G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
Application: automotive industry
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NJVMJD44H11RLG MJD44H11_MJD45H11.PDF
NJVMJD44H11RLG
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
Application: automotive industry
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auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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5+14.3 EUR
25+ 2.86 EUR
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NJVNJD2873T4G njd2873t4-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NJVNJD2873T4G NPN SMD transistors
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NJW0281G NJW0281_NJW0302.pdf
NJW0281G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
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10+7.15 EUR
18+ 3.98 EUR
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NJW0302G NJW0281_NJW0302.pdf
NJW0302G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 150W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
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auf Bestellung 33 Stücke:
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20+3.7 EUR
22+ 3.35 EUR
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NJW1302G njw3281-d.pdf
NJW1302G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
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auf Bestellung 19 Stücke:
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12+5.99 EUR
14+ 5.39 EUR
18+ 4.13 EUR
19+ 3.9 EUR
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NJW21193G NJW21193_4.pdf
NJW21193G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Application: automotive industry
Collector current: 16A
Type of transistor: PNP
Frequency: 4MHz
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO3P
Collector-emitter voltage: 250V
Mounting: THT
Current gain: 20...80
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
15+4.88 EUR
17+ 4.2 EUR
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NJW21194G NJW21193_4.pdf
NJW21194G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO3P
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Case: TO3P
Mounting: THT
Application: automotive industry
Power dissipation: 200W
Frequency: 4MHz
Collector-emitter voltage: 250V
Current gain: 20...80
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
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13+5.71 EUR
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NJW3281G njw3281-d.pdf
NJW3281G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO3P
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
Application: automotive industry
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NL17SG02DFT2G NL17SG02-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
NL17SG02DFT2G Gates, inverters
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146+0.49 EUR
926+ 0.077 EUR
981+ 0.073 EUR
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NL17SG04P5T5G nl17sg04-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SG04P5T5G Gates, inverters
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NL17SG07DFT2G NL17SG07-D.pdf
NL17SG07DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; MiniGate; NL
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer
Number of channels: 1
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: open drain
Technology: CMOS
Family: NL
Manufacturer series: MiniGate
Number of inputs: 2
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145+0.5 EUR
171+ 0.42 EUR
210+ 0.34 EUR
262+ 0.27 EUR
348+ 0.21 EUR
511+ 0.14 EUR
962+ 0.074 EUR
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NL17SG08DFT2G nl17sg08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SG08DFT2G Gates, inverters
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NL17SG125DFT2G NL17SG125-D.pdf
NL17SG125DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,bus buffer; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; SC88A; NL
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: MiniGate
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Kind of output: 3-state
Number of inputs: 2
Case: SC88A
Family: NL
Kind of integrated circuit: 3-state; bus buffer
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
313+0.23 EUR
358+ 0.2 EUR
417+ 0.17 EUR
722+ 0.099 EUR
764+ 0.094 EUR
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NL17SG14DFT2G nl17sg14-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; CMOS; SMD; SC88A; 0.9÷3.6VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: SC88A
Supply voltage: 0.9...3.6V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 10µA
Technology: CMOS
Number of inputs: 1
Kind of input: with Schmitt trigger
Kind of gate: NOT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NL17SG32DFT2G nl17sg32-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SG32DFT2G Gates, inverters
auf Bestellung 2990 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
158+0.45 EUR
1000+ 0.072 EUR
1064+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 158
NL17SG32P5T5G nl17sg32-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SG32P5T5G Gates, inverters
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NL17SV04XV5T2G nl17sv04-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SV04XV5T2G Gates, inverters
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NL17SV08XV5T2G nl17sv08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SV08XV5T2G Gates, inverters
auf Bestellung 4000 Stücke:
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128+0.56 EUR
807+ 0.089 EUR
863+ 0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 128
NL17SV16XV5T2G nl17sv16-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SV16XV5T2G Buffers, transceivers, drivers
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NL17SV32XV5T2G nl17sv32-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SV32XV5T2G Gates, inverters
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NL17SZ00DFT2G nl17sz00-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SZ00DFT2G Gates, inverters
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NL17SZ02DFT2G nl17sz02-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: single; 1
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Number of inputs: 2
Case: SC88A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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NL17SZ04DFT2G NL17SZ04DFT2G.pdf
NL17SZ04DFT2G
Hersteller: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Number of inputs: 1
Kind of gate: NOT
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ04XV5T2G nl17sz04-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SZ04XV5T2G Gates, inverters
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NL17SZ06DFT2G nl17sz06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 1; IN: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: single; 1
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: open drain
Quiescent current: 10µA
Number of inputs: 1
Kind of gate: NOT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ06XV5T2G NL17SZ06-D.PDF nl17sz06-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SZ06XV5T2G Gates, inverters
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NL17SZ07DFT2G NL17SZ07DFT2G.pdf
NL17SZ07DFT2G
+1
Hersteller: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ07XV5T2G nl17sz07-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SOT553; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT553
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of output: open drain
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 12000 Stücke
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NL17SZ08DFT2G nl17sz08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ08XV5T2G nl17sz08-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 1; IN: 2; SMD; SOT553; 1.65÷5.5VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: AND
Number of channels: single; 1
Number of inputs: 2
Mounting: SMD
Case: SOT553
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NL17SZ125DFT2G nl17sz125-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ125DTT1G nl17sz125-d.pdf
NL17SZ125DTT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; TSOP5; 1.65÷5.5VDC
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Quiescent current: 10µA
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Mounting: SMD
Case: TSOP5
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ125XV5T2G NL17SZ125-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SOT553; 1.65÷5.5VDC
Operating temperature: -55...125°C
Type of integrated circuit: digital
Number of channels: 1
Quiescent current: 10µA
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Mounting: SMD
Case: SOT553
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ14XV5T2G nl17sz14-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SZ14XV5T2G Gates, inverters
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ16DFT2G nl17sz16-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; SMD; SC88A; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SC88A
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: reel; tape
Quiescent current: 10µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ16XV5T2G nl17sz16-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SZ16XV5T2G Buffers, transceivers, drivers
Produkt ist nicht verfügbar
NL17SZ17DFT2G nl17sz17-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
NL17SZ17DFT2G Buffers, transceivers, drivers
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