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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
XP30-203002C
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XP3000XS POWER BATTERIESDescription: 12V, 3,000A, 120 AH, RC: 240
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XP3002000-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Module
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XP3002000-01RLantronixEmbedded Processor 16bit T/R
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XP3002000-01RLantronix, Inc.Description: IC MOD DSTNI-EX 120MHZ 1.25MB
Packaging: Tray
Connector Type: RJ45
Size / Dimension: 0.650" L x 1.800" W (16.50mm x 45.70mm)
Speed: 120MHz
RAM Size: 1.25MB
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Module/Board Type: MPU Core
Core Processor: DSTni-EX
Co-Processor: XPort AR
Flash Size: 4MB
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XP300200K-01LantronixEmbedded Processor 16bit
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XP300200K-01Lantronix, Inc.Description: XPORT AR EVALUATION KIT
Packaging: Box
Function: Ethernet
Type: Interface
Utilized IC / Part: XPort AR
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
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XP300200K-01LantronixNetworking Development Tools XPort AR Evaluation Kit
auf Bestellung 2 Stücke:
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XP300200S-01RLantronixNetworking Modules XPort AR Sample PACKAGE ROHS COMPLI
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XP300200S-01RLantronixEmbedded Processor
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XP300200S-01RLantronix, Inc.Description: XPORT AR SAMPLE EXTENDED TEMP -4
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XP30M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 30MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 30 MHz
auf Bestellung 20000 Stücke:
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2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP31011Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
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XP3132SIT4
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XP3132SIT4SOP8
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP32M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 32MHZ 30ppm,8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 32 MHz
auf Bestellung 20000 Stücke:
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2000+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
XP3311PANASONIC09+
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XP338300L
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XP3389
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XP3389/DX
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XP34024Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
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XP34036Honeywell Sensing and Productivity SolutionsDescription: POTENTIOMETER
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XP3470A
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XP3601NYAGEOArray
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XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 7.8A 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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XP3700MXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2996 Stücke:
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2+1.74 EUR
10+ 1.42 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.8 EUR
3000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 7.8A 5.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 990 Stücke:
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11+1.72 EUR
13+ 1.41 EUR
100+ 1.09 EUR
500+ 0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 11
XP3700MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.8 A, 5.5 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700MYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2991 Stücke:
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2+1.74 EUR
10+ 1.42 EUR
100+ 1.1 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.8 EUR
3000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700MTYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.01 EUR
3000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11A 7.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
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XP3700MTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.01 EUR
3000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11A 7.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.18 EUR
10+ 1.79 EUR
100+ 1.39 EUR
500+ 1.18 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 9
XP3700YTXSemi CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Produkt ist nicht verfügbar
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3700YTYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+ 1.51 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.81 EUR
3000+ 0.76 EUR
6000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3700YTXSemi CorporationDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.7A PMPAK3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PMPAK® 3 x 3
Produkt ist nicht verfügbar
XP3700YTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+ 1.51 EUR
100+ 1.17 EUR
500+ 0.99 EUR
1000+ 0.81 EUR
3000+ 0.76 EUR
6000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3700YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3700YT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.7 A, 6.1 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3700 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP380AO
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
XP3832CDTYAGEOArray
Produkt ist nicht verfügbar
XP3832CMTYAGEO XSemiMOSFETs Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.89 EUR
10+ 3.52 EUR
100+ 3.36 EUR
3000+ 2.53 EUR
XP3832CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3832CMTXSemiMOSFET Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.53 EUR
10+ 6.76 EUR
100+ 5.54 EUR
500+ 4.72 EUR
1000+ 3.98 EUR
3000+ 3.78 EUR
6000+ 3.64 EUR
XP3832CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3832CMT - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.27W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3A-3846-0642D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0642D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0642D-R/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0642D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.15MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 4.15mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3A-3846-0642D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
Recommended Working Height: 0.152" (3.85mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0642D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.163" (4.15mm)
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Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0650D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0650D-D/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0650D-D/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 4.95MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 4.95mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3A-3846-0650D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
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Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.195" (4.95mm)
Recommended Working Height: 0.179" (4.55mm)
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Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0650D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
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Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0650D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
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Contact Material: Nickel Alloy
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Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0660D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
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Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
Recommended Working Height: 0.215" (5.45mm)
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Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0660D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
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Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
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Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0660D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
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Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0660D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
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Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.234" (5.94mm)
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Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-3846-0670D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
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Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
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Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-3846-0670D-R/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-3846-0670D-R/S
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP3A-3846-0670D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
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Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-3846-0670D-R/SOMRON / PARTNER STOCKDescription: OMRON / PARTNER STOCK - XP3A-3846-0670D-R/S - STECKVERBINDER, FEDER, 0.5MM, 6.95MM L
tariffCode: 85366990
Achsmittenabstand: 0.5mm
productTraceability: No
Messanschlussspitze: Flach
Steckverbindertyp: Federbelasteter Tastkopf
rohsCompliant: YES
Nennstrom: 250mA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 6.95mm
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Federkraftarbeitsweg: -oz
usEccn: EAR99
Anfangsfederkraft: 15g
Produktpalette: XP3A Series
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3A-3846-0670D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
Recommended Working Height: 0.254" (6.45mm)
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Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-3846-0670D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.274" (6.96mm)
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Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-3846-0673D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Plunger Size: 0.002" ~ 0.015" (0.06mm ~ 0.38mm)
Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-4654-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
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XP3A-4654-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
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XP3A-4654-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
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XP3A-4654-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
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XP3A-4654-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
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XP3A-4654-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
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XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+18.7 EUR
70+ 17.96 EUR
200+ 17.24 EUR
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XP3A-4654-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
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XP3A-4654-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm)
Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-4654-0750D-R/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-4654-0750D-R/S
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+27.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5
XP3A-4654-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.018" (0.07mm ~ 0.046mm)
Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-4654-0750D-S/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-4654-0750D-S/S
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.62 EUR
50+ 9.19 EUR
250+ 8.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+18.7 EUR
70+ 17.96 EUR
200+ 17.24 EUR
400+ 16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP3A-4654-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-4654-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.5MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0725D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0725D-D/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3A-5866-0725D-D/S
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+25.43 EUR
60+ 24.43 EUR
200+ 23.43 EUR
300+ 22.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
XP3A-5866-0725D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0725D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0725D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.096" (2.45mm)
Recommended Working Height: 0.085" (2.15mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+25.43 EUR
60+ 24.43 EUR
200+ 23.43 EUR
300+ 22.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5
XP3A-5866-0730D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0730D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0730D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0730D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+18.7 EUR
70+ 17.96 EUR
200+ 17.24 EUR
400+ 16.56 EUR
Mindestbestellmenge: 4
XP3A-5866-0742D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0742D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0742D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0742D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0750D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0750D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0750D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0750D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0760D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0760D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0760D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0760D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0770D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE .6MM PITCH
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3A-5866-0770D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0770D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.6MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-5866-0770D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Maximum Working Height: 0.281" (7.15mm)
Recommended Working Height: 0.262" (6.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.023" (0.07mm ~ 0.58mm)
Operating Force - Initial: 15gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0825D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0825D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0825D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-7583-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-7583-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
XP3A-7583-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Finish Thickness: 40.0µin (1.02µm)
Contact Material: Nickel Alloy
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.203" (5.15mm)
Recommended Working Height: 0.183" (4.65mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.030" (0.08mm ~ 0.75mm)
Operating Force - Initial: 15gf
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XP3A-7583-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
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XP3A-7583-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
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XP3A-7583-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
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XP3A-7583-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
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XP3A-7583-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
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XP3A-7583-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 0.8MM PITCH
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XP3A-9098-0825D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0830D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0830D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3A-9098-0830D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0830D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0842D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3A-9098-0842D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3A-9098-0842D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3A-9098-0842D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3A-9098-0850D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0850D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0850D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0850D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0860D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0860D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0860D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0860D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0870D-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0870D-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0870D-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3A-9098-0870D-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE 1.0MM PITCH
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XP3B-3012-3015 1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
Minimum Working Height: 0.037" (0.93mm)
Plunger Size: 0.003" ~ 0.008" (0.08mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 8gf
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XP3B-3012-3015-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT PROBE PIN .4MM PITCH
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.046" (1.18mm)
Recommended Working Height: 0.039" (0.98mm)
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Operating Force - Initial: 8gf
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XP3B-3029-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
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Operating Force - Initial: 25gf
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XP3B-3029-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3B-3029-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Obsolete
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 25gf
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XP3B-3029-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3B-3029-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3B-3029-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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4+4.77 EUR
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XP3B-3029-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-R/DOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3029-5050-1-R/D
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20+3.62 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
XP3B-3029-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
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Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 25gf
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XP3B-3029-5050-1-R/ROMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3029-5050-1-R/R
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Mindestbestellmenge: 20
XP3B-3029-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 25gf
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XP3B-3029-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3B-3029-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Part Status: Active
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 25gf
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XP3B-3029-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3B-3029-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3B-3029-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3B-3029-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3B-3029-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 25gf
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XP3B-3029-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 25gf
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XP3B-3029-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3B-3029-5050-1-S/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3029-5050-1-S/S
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20+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 20
XP3B-3029-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3B-3029-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
auf Bestellung 50 Stücke:
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XP3B-3029-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3B-3029-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3029-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
XP3B-3029-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
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XP3B-3029-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.4mm pitch
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XP3B-3829-5050-1-D/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-D/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
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Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
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Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
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XP3B-3829-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
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XP3B-3829-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
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Operating Force - Initial: 33gf
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
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Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
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XP3B-3829-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
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Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
Produkt ist nicht verfügbar
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
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Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
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XP3B-3829-5050-1-S/SOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3829-5050-1-S/S
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20+3.62 EUR
50+ 3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 20
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
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Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
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XP3B-3829-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
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XP3B-3829-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
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XP3B-3829-5050-1-T/DOMRONCategory: Unclassified
Description: XP3B-3829-5050-1-T/D
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12+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 12
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
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XP3B-3829-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
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Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
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XP3B-3829-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Through Hole
Contact Type: Probe Pin
Contact Material: Nickel Alloy
Mating Cycles: 1000000
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
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Operating Force - Initial: 33gf
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XP3B-3829-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
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XP3C023AMTYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
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1+3.1 EUR
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XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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XP3C023AMTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
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3000+ 1.43 EUR
6000+ 1.38 EUR
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N028ENXSEMIDescription: XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N045ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.56 EUR
10+ 5.51 EUR
100+ 4.46 EUR
500+ 3.96 EUR
1000+ 3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N1R0MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.6 EUR
10+ 5.53 EUR
25+ 5.23 EUR
100+ 4.49 EUR
250+ 4.22 EUR
500+ 3.98 EUR
1000+ 3.4 EUR
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 0.00189 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00189ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.2 EUR
10+ 1.8 EUR
100+ 1.4 EUR
500+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
XP3N1R8MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.22 EUR
10+ 1.83 EUR
100+ 1.42 EUR
500+ 1.2 EUR
1000+ 1.03 EUR
3000+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 0.00189 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00189ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3N2R8AMTXSemiMOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.58 EUR
10+ 1.3 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.73 EUR
3000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 0.0028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.67 EUR
13+ 1.37 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 0.0028 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N5R0AMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.63 EUR
500+ 1.38 EUR
1000+ 1.12 EUR
3000+ 1.06 EUR
6000+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.53 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.61 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N5R0AYTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.16 EUR
10+ 1.76 EUR
100+ 1.38 EUR
500+ 1.17 EUR
1000+ 0.95 EUR
3000+ 0.9 EUR
6000+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 0.005 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.005 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N5R0HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.37 EUR
1000+ 1.12 EUR
3000+ 1.05 EUR
6000+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.78 EUR
10+ 1.77 EUR
100+ 1.19 EUR
500+ 0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.65 EUR
13+ 1.36 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 11
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0024 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.48 EUR
10+ 2.89 EUR
100+ 2.3 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
XP3NA2R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+ 2.92 EUR
100+ 2.32 EUR
250+ 2.15 EUR
500+ 1.95 EUR
1000+ 1.67 EUR
3000+ 1.59 EUR
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 0.0024 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3NA3R4MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.52 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.67 EUR
250+ 1.55 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.2 EUR
3000+ 1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.0034 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
10+ 2.08 EUR
100+ 1.66 EUR
500+ 1.4 EUR
1000+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 0.0034 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3NA7R2MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.04 EUR
10+ 1.67 EUR
100+ 1.31 EUR
500+ 1.11 EUR
1000+ 0.9 EUR
3000+ 0.85 EUR
6000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.04 EUR
11+ 1.67 EUR
100+ 1.3 EUR
500+ 1.1 EUR
1000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 9
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P010AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P010HYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P010MXSEMIDescription: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P010MYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -13 .3A SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2.94 EUR
10+ 2.46 EUR
100+ 1.95 EUR
250+ 1.8 EUR
500+ 1.63 EUR
1000+ 1.48 EUR
3000+ 1.28 EUR
XP3P010MXSEMIDescription: XSEMI - XP3P010M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P010 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P010YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P020MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P020M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.3 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P020 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.34 EUR
16+ 1.15 EUR
100+ 0.79 EUR
500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 14
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.1 A, 0.05 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P050AGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P050AGYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -4. 1A SOT-89
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+ 1.17 EUR
100+ 0.8 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.57 EUR
2000+ 0.52 EUR
5000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.18 EUR
18+ 1.02 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15
XP3P050AMYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -5. 8A SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+ 1.05 EUR
100+ 0.71 EUR
500+ 0.6 EUR
1000+ 0.52 EUR
3000+ 0.44 EUR
6000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P050AMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P050AM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P050A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P055NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.59 EUR
100+ 0.44 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.25 EUR
9000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P055N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.9 A, 0.055 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P055 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
30+ 0.59 EUR
100+ 0.41 EUR
500+ 0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 26
XP3P055NYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P080NXSEMIDescription: XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P080NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P080N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.06 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3P080 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P3R0MTYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.9 EUR
10+ 4.95 EUR
25+ 4.66 EUR
100+ 4.01 EUR
250+ 3.78 EUR
500+ 3.57 EUR
1000+ 3.2 EUR
XP3P3R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+5.93 EUR
10+ 4.98 EUR
100+ 4.02 EUR
500+ 3.58 EUR
1000+ 3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3
XP3P7R0EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P7R0EMXSEMIDescription: XSEMI - XP3P7R0EM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.5 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P7R0E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP3P7R0EMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3R303GMT-LYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.48 EUR
10+ 2.9 EUR
100+ 2.31 EUR
250+ 2.13 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.65 EUR
3000+ 1.58 EUR
XP3R303GMT-LYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.47 EUR
10+ 2.87 EUR
100+ 2.29 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 6
XP3R303GMT-LYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar