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XP3700MT YAGEO XSEMI
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Description: MOSFET N AND P-CH 30V 11A 7.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.57W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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9+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.79 EUR |
100+ | 1.39 EUR |
500+ | 1.18 EUR |
1000+ | 0.96 EUR |
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Technische Details XP3700MT YAGEO XSEMI
Description: XSEMI - XP3700MT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 7.3 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3700 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote XP3700MT nach Preis ab 0.86 EUR bis 2.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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XP3700MT | Hersteller : XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3700MT | Hersteller : YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3700MT | Hersteller : XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3700MT | Hersteller : XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W euEccn: NLR Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3700 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3700MT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.57W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 7.3A(Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 960pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 11A, 10V, 45mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 |
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