![XP3N1R0MT XP3N1R0MT](https://www.mouser.com/images/xsemi/lrg/PMPAK-5X6_SPL.jpg)
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Technische Details XP3N1R0MT YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 0.00105 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 245A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP3N1R0 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote XP3N1R0MT nach Preis ab 3.39 EUR bis 6.56 EUR
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XP3N1R0MT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N1R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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XP3N1R0MT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3N1R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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XP3N1R0MT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V |
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XP3N1R0MT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V |
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