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BGA

auf Bestellung 25 Stücke:

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SIS 112 12VDC SEN

Relays with Forcibly Guided Contact

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SIS 112 18VDC SEN

Power Relay 18VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

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SIS 112 24VDC SEN

Power Relay 24VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

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SIS 112 5VDC SEN

Relays with forcibly guided contacts

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SIS 11212VDC

PCB Power Relay

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS 11224VDC

PCB Power Relay

auf Bestellung 4259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS 11248VDC

Power Relay 48VDC 6A SPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

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SIS-163-U

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS-163U

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS-6801-A1-AX

auf Bestellung 907 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS03VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 4.5W

Produkt ist nicht verfügbar

SIS03VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 5.4W

Produkt ist nicht verfügbar

SIS03VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 7.5W

Produkt ist nicht verfügbar

SIS03VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 9.9W

Produkt ist nicht verfügbar

SIS03VY

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.2V OUT 8.4W

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SIS044200SPL-1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS07VA

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.5V OUT 10.5W

Produkt ist nicht verfügbar

SIS07VB

Description: CONV DC-DC 5V IN 1.8V OUT 12.6W

Produkt ist nicht verfügbar

SIS07VD

Description: CONV DC-DC 5V IN 2.5V OUT 17.5W

Produkt ist nicht verfügbar

SIS07VE

Description: CONV DC-DC 5V IN 3.3V OUT 23.1W

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SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

auf Bestellung 4890 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
14+	1.33 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIS106DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS106DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 23978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.65 EUR
10+	1.36 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS106DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS108DN-T1-GE3

MOSFET Nch 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 25116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.44 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 16156 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS108DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS108DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 16156 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS108DN-T1-GE3

SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIS110DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 14.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS110DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 28085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 10826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
18+	1.03 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIS110DN-T1-GE3

MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 120552 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.39 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS110DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS110DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 24W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 28085 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS112 3.3VDC SEN

H320934

Produkt ist nicht verfügbar

SIS112 5VDC L38

H320845

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SIS112-12VDC

PCB Power Relay

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	32.77 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SIS112-21VDC

Relay

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SIS112-5VDC REDESIGN

Power Relay 5VDC 6A SPST-NO/SPST-NC (( 29.2mm 16.6mm 16.5mm)) Through Hole

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS112-6VDC SEN

Power Relay

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SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS112LDN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS112LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS112LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS112LDN-T1-GE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 8.8A/POWERPAK 1212-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SIS112LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.09 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.54 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIS112LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS1206L-4R6FT

auf Bestellung 142 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS126DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS126DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 36.1A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 36.1A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIS126DN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS126DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK

auf Bestellung 9215 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS126DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIS128LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS128LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5274 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS128LDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 26.9A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 26.9A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIS128LDN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS128LDN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 80V 33.7A N-CH MOSFET

auf Bestellung 16348 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS128LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS128LDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 40 V

auf Bestellung 7612 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIS150-40-TG-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 150000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4383.53 EUR

SIS150E

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS160

auf Bestellung 150 Stücke:

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SIS162U

LFBGA

auf Bestellung 1494 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS163

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS163A

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS163A1DA

05+

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS163U

auf Bestellung 227 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS163UZ

0750+/

auf Bestellung 1177 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS168C1AD

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS175-40-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3519.75 EUR

SIS175-40-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3372.62 EUR

SIS175-40-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 513
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3856.62 EUR

SIS175-40-TG-N5

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4341.36 EUR

SIS175-50-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4012.69 EUR

SIS175-50-N5

Description: NATURAL GAS HEATER INFRARED TUBE
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4012.69 EUR

SIS175-50-TG-L5

Description: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 633
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4109.49 EUR

SIS176LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 70V

auf Bestellung 35803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.47 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS176LDN-T1-GE3

SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS176LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 35 V

auf Bestellung 17023 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
16+	1.17 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS178LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 45.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 35 V

auf Bestellung 2802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIS178LDN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 70V

auf Bestellung 43126 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS178LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS178LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS178LDN-T1-GE3

SIS178LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS180

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS184DN-T1-GE3

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 29681 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.32 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1 EUR
3000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

auf Bestellung 14940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.5 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIS184DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.03 EUR
6000+	0.98 EUR
9000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

auf Bestellung 5997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.73 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIS184LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 17620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.69 EUR
3000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS184LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS2038

DIP-471 SIS4047

auf Bestellung 112240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS2038 DIP-471 SIS4047

auf Bestellung 91240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS2038DIP-471

auf Bestellung 91240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS2038DIP-471SIS4047

auf Bestellung 110329 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS212 12VDC SEN

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS212 18VDC SEN

Relays with forcibly guided contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIS212 24VDC SEN

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS212 5VDC SEN

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS212 60VDC SEN

SIS212-60VDC SEN

Produkt ist nicht verfügbar

SIS212-12VDC SEN

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2mm 16.6mm 16.5mm) THT

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	35.81 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIS212-24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 724 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS212-24VDC SEN

Power Switching Relay

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	35.94 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SIS212-24VDC SEN

Power Switching Relay

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	34.19 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	33.64 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SIS212-5VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	35.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIS212-5VDC SEN

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	37.28 EUR

Mindestbestellmenge: 25

SIS212-5VDC SEN

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	34.99 EUR

Mindestbestellmenge: 35

SIS212110VDC

Power Relay 110VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS21212VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS21218VDC

Power Relay 18VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS2125VDC

Power Relay 5VDC 6A DPST-NO/SPST-NC(29.2x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS222 18VDC SEN

Power Relay 18VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS222 24VDC

Power Relay 24VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS222 5VDC

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIS222 5VDC SEN

Relays with forcibly guided contact

Produkt ist nicht verfügbar

SIS222-12VDC

Power Relay 12VDC 6A DPST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS22224V

ELESTA

0947

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS300

00+

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301

00+

auf Bestellung 296 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301-A1

TQFP100

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301B

auf Bestellung 22300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS301B0EF-T-5

2002

auf Bestellung 587 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS301BO

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301C2CA

03+

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301DH

01+

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301DHMV

auf Bestellung 7323 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301LVD0

auf Bestellung 214 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301LVMV

auf Bestellung 214 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301LVMVBO

auf Bestellung 542 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301MV

TQFP

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301MV

auf Bestellung 449 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301MV

02+

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301MVBOFF

02+

auf Bestellung 3745 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301MVC

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS301VB

QFP100

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SIS302ELC

auf Bestellung 66 Stücke:

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SIS302ELV

05+

auf Bestellung 39 Stücke:

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SIS302ELV

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS302ELVE

auf Bestellung 1000 Stücke:

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SIS302ELVE0

auf Bestellung 152 Stücke:

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SIS302ELVMV

auf Bestellung 13000 Stücke:

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SIS302ELVZ

06+

auf Bestellung 520 Stücke:

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SIS302ELVZE0CY

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS302LV

0602+

auf Bestellung 49 Stücke:

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SIS302LVE0

auf Bestellung 298 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS302LVE0CY-L-5

2004

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS302LVEOBF(CM.01)

auf Bestellung 2884 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS302LVMV

auf Bestellung 2435 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS302LVMV

02+

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS302LVZE0CY-5

QFP128

auf Bestellung 361 Stücke:

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SIS305

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS305

02+

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS305DOAA

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS307DV

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS307DVAOAA

auf Bestellung 20949 Stücke:

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SIS307ELV

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS307ELVBO BA

08+

auf Bestellung 770 Stücke:

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SIS307ELVBOBA

auf Bestellung 770 Stücke:

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SIS312-24VDC SEN KV2

Relays with forcibly guided contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIS312-48VDC

Power Relay 48VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS31212VDC

PCB Relay with Forcibly Guided Contacts

Produkt ist nicht verfügbar

SIS31218VDC

Power Relay 18VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS31218VDC SEN

SIS31218VDC SEN

Produkt ist nicht verfügbar

SIS31224VDC

Power Relay 24VDC 6A 3PST-NO/SPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS315

02+

auf Bestellung 80 Stücke:

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SIS315AOGA

auf Bestellung 1098 Stücke:

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SIS315E

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS316MX

auf Bestellung 143 Stücke:

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SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 3875 Stücke:

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SIS322DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIS322DNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS330DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIS332DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS333A1CA

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS333A1CACM02

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS334DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIS334DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS4001X01-3070

auf Bestellung 3981 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 11181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.97 EUR
10+	2.46 EUR
100+	1.99 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.41 EUR
3000+	1.3 EUR

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS402DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 3720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 6

SIS402DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIS402DN-T1-GE3

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SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS402DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS4047DIP-471SIS2038

auf Bestellung 110329 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS406DN-T1-E3

auf Bestellung 875 Stücke:

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SiS406DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12.2A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.2A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2997 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

70+	1.03 EUR
77+	0.93 EUR
107+	0.67 EUR
112+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 70

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR
9000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SiS406DN-T1-GE3

auf Bestellung 2997 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

70+	1.03 EUR
77+	0.93 EUR
107+	0.67 EUR
112+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 70

SIS406DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS406DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS406DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0088 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SiS406DN-T1-GE3

auf Bestellung 71200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS406DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 113248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.28 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS406DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SiS406DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

auf Bestellung 13189 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.28 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SIS406DN-T1-GE3

auf Bestellung 3578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS407ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0073 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 39.1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS407ADN-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 11327 Stücke:

Lieferzeit 698-702 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS407ADN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS407ADN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS407ADN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -70A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIS407ADN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS407ADN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

auf Bestellung 51712 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
14+	1.28 EUR
100+	1 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIS407DN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A; 21W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 21W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 93.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIS407DN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS407DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS407DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.65 EUR
6000+	0.62 EUR
9000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS407DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS407DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 25 A, 0.0082 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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SIS407DN-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

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2+	1.59 EUR
10+	1.3 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS407DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS40C3208-20

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SIS40C3208-20

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SIS410DN-T1-GE3

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SIS410DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W

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SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS410DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 1354 Stücke:

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SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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3000+	1.11 EUR

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SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

auf Bestellung 27884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
13+	1.36 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 11

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 34777 Stücke:

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2+	1.69 EUR
10+	1.38 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIS410DN-T1-GE3

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SIS410DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 490 Stücke:

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89+	1.71 EUR
100+	1.58 EUR
250+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 89

SIS410DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.66 EUR
9000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS412DN

auf Bestellung 1556 Stücke:

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SIS412DN (SIS412DN-T1-GE3) Transistor
Produktcode: 63212

Transistoren > MOSFET N-CH

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SIS412DN-T1-E3

QFN-8 09+

auf Bestellung 42 Stücke:

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SIS412DN-T1-E3
Produktcode: 56990

Transistoren > MOSFET N-CH

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SIS412DN-T1-E3

09+ QFN-8

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS412DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 14259 Stücke:

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4+	0.92 EUR
10+	0.8 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIS412DN-T1-GE3
Produktcode: 173697

IC > IC andere

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SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 1071 Stücke:

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228+	0.66 EUR
230+	0.63 EUR
320+	0.44 EUR
323+	0.42 EUR
500+	0.36 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 228

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 46401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.9 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SIS412DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Mounting: SMD
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	0.68 EUR
117+	0.61 EUR
152+	0.47 EUR
161+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 106

SIS412DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS412DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 40747 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS412DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 1071 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.76 EUR
226+	0.65 EUR
228+	0.62 EUR
230+	0.59 EUR
320+	0.41 EUR
323+	0.38 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 200

SIS412DN-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

106+	0.68 EUR
117+	0.61 EUR
152+	0.47 EUR
161+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 106

SIS412DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SiS412DNS412

auf Bestellung 199 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS413DN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1375 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

107+	0.67 EUR
120+	0.6 EUR
164+	0.44 EUR
214+	0.33 EUR
227+	0.32 EUR
1000+	0.31 EUR
3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 107

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

auf Bestellung 51801 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.9 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SIS413DN-T1-GE3

auf Bestellung 1375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	0.67 EUR
120+	0.6 EUR
164+	0.44 EUR
214+	0.33 EUR
227+	0.32 EUR
1000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 107

SIS413DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS413DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0076 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0076ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 6396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS413DN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 69666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.79 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.34 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS413DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS413DN-T1-GE3
Produktcode: 151913

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar

SIS413DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 15 V

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET 20V 20A N-CH MOSFET

auf Bestellung 5061 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS414DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS414DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS415DNT-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	0.89 EUR
175+	0.84 EUR
210+	0.67 EUR
250+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 171

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	0.72 EUR
255+	0.57 EUR
256+	0.55 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 212

SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS415DNT-T1-GE3

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS415DNT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIS415DNT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 17108 Stücke:

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3+	1.28 EUR
10+	1.06 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.54 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

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SIS415DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8-Pin PowerPAK 1212-T T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

148+	1.02 EUR
171+	0.86 EUR
175+	0.81 EUR
210+	0.65 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 148

SIS415DNT-T1-GE3

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SIS415DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V

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SIS422 12VDC SEN

H321069

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SIS422 24VDC SP

H301369

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SIS422 5VDC SEN

Relays with Forcibly Guided Contact

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SIS422-12VDC

Power Relay 12VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

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SIS422-21VDC

H300755

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SIS422-24VDC

Relays with forcibly guided contact

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SIS422-5VDC

Power Relay 5VDC 6A 4PST-NO/DPST-NC(48x16.6x16.5)mm THT

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SIS422110VDC

Relays with forcibly guided contact

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SIS424DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS424DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS424DN-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3

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SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

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SIS426DN-T1-GE3

auf Bestellung 1620 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS426DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V

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SIS426DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK T/R

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SIS426DN-T1-GE3

VISHAY QFN 11+

auf Bestellung 110 Stücke:

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SIS427EDN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

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SIS427EDN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -44.3A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -44.3A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 21.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

auf Bestellung 25006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
19+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIS427EDN-T1-GE3

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SIS427EDN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

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SIS427EDN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.43 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS427EDN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 3775 Stücke:

Lieferzeit 288-292 Tag (e)

3+	1.11 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.45 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS429DNT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIS429DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

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SIS429DNT-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS429DNT-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.56 EUR
100+	0.42 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.23 EUR
9000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

SIS429DNT-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

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SIS430DN-T1-GE3

MOSFET 25V 35A 52W

auf Bestellung 2471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

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SIS430DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 21.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS430DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

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SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0063 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 28220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.01 EUR
6000+	0.89 EUR
12000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

auf Bestellung 9744 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
15+	1.21 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIS434DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 60A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS434DN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS434DN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 166100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS434DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0063 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 28220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS434DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS434DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR
6000+	0.58 EUR
9000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 2940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

213+	0.71 EUR
232+	0.63 EUR
234+	0.6 EUR
284+	0.48 EUR
287+	0.45 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 213

SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

auf Bestellung 4378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.23 EUR
17+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 15

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 2940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

232+	0.65 EUR
234+	0.62 EUR
284+	0.5 EUR
287+	0.47 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 232

SIS435DNT-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -30A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -30A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS435DNT-T1-GE3

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SIS435DNT-T1-GE3

MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8T

auf Bestellung 4082 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.08 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS435DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS435DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS436DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V

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SIS436DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 25V 13.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS436DN-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS436DN-T1-GE3

MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

auf Bestellung 44687 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	0.9 EUR
23+	0.78 EUR
100+	0.54 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 20

SiS438DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 17.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIS438DN-T1-GE3
Produktcode: 186242

Transistoren > MOSFET N-CH

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SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 1700 Stücke:

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241+	0.63 EUR
263+	0.56 EUR
271+	0.52 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 241

SIS438DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS438DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 10483 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SiS438DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SiS438DN-T1-GE3

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS438DN-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 15442 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS438DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 14.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SiS438DN-T1-GE3

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SIS438DN-T1-GE3

auf Bestellung 12030 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS439DNT-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK EP T/R

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SIS439DNT-T1-GE3

MOSFET -30V 11mOhm@-10V -50A P-CH

auf Bestellung 4456 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS439DNT-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 15 V

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SIS4406DN-T1-GE3

MOSFET 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 108-112 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS4410DC-T1

auf Bestellung 78000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	1.53 EUR
100+	1.46 EUR
101+	1.4 EUR
250+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 99

SIS443DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 51640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS443DN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A; 33W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2918 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

24+	3.06 EUR
28+	2.6 EUR
76+	0.94 EUR
81+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIS443DN-T1-GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 44707 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.5 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.1 EUR
3000+	1.04 EUR
6000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.96 EUR
6000+	0.88 EUR
9000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1 EUR
6000+	0.95 EUR
9000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS443DN-T1-GE3

auf Bestellung 2918 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	3.06 EUR
28+	2.6 EUR
76+	0.94 EUR
81+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 24

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS443DN-T1-GE3 - MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 24106 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.87 EUR
6000+	0.8 EUR
9000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4370 pF @ 20 V

auf Bestellung 44252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.41 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS443DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.26 EUR
99+	1.48 EUR
100+	1.41 EUR
101+	1.35 EUR
250+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 67

SIS443DN-T1-GE3-X

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIS444DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS444DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIS444DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS444DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 3472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.05 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS444DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIS447DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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10+	1.08 EUR
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500+	0.67 EUR
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SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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186+	0.79 EUR
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243+	0.54 EUR
250+	0.51 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.41 EUR
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SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

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13+	1.44 EUR
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500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIS447DN-T1-GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 181nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 11274 Stücke:

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186+	0.82 EUR
188+	0.78 EUR
201+	0.7 EUR
243+	0.56 EUR
250+	0.53 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 186

SIS447DN-T1-GE3

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SIS447DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V

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3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS447DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS448DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS448DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 15 V

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SIS452DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 12V 27.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

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SIS452DN-T1-GE3

MOSFET 12V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 4171 Stücke:

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SIS452DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V

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SIS454DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 100A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

auf Bestellung 8731 Stücke:

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12+	1.58 EUR
14+	1.28 EUR
100+	1 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.69 EUR

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SIS454DN-T1-GE3

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SIS454DN-T1-GE3

MOSFETs 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 19835 Stücke:

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2+	1.59 EUR
10+	1.3 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS454DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.65 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS454DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS454DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS454DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.003 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5814 Stücke:

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SIS456DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS456DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS456DN-T1-GE3

MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET

auf Bestellung 3853 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS4604DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44.4 A, 0.0079 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4058 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4604DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.34 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.82 EUR
3000+	0.7 EUR
6000+	0.69 EUR
9000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

auf Bestellung 10520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.16 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIS4604DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 14.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS4604DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 44.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.52 EUR
9000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS4604DN-T1-GE3

auf Bestellung 4058 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4604LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

Produkt ist nicht verfügbar

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4604LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.9 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

auf Bestellung 5437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4604LDN-T1-GE3

auf Bestellung 5437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4604LDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 36.7A; Idm: 100A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36.7A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 21.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIS4604LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 45.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V

auf Bestellung 14527 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
16+	1.16 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIS4604LDN-T1-GE3

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SIS4604LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.1A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS4608DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35.7 A, 0.0099 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5846 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4608DN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

auf Bestellung 2850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.34 EUR
10+	1.19 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.7 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS4608DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4608DN-T1-GE3

auf Bestellung 5846 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4608DN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 35.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V

auf Bestellung 5855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

auf Bestellung 5985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIS4608LDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 28.9A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 28.9A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 17.4W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIS4608LDN-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK

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SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS4608LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36.2 A, 0.0094 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4608LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 36.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 27.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS4608LDN-T1-GE3

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SIS4608LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 12.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4608LDN-T1-GE3

auf Bestellung 5996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS4634LDN

SIS4634LDN

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SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SIS4634LDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS4634LDN-T1-GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 24 mohm a. 10V, 32 mohm a. 4.5V

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SIS463EDC-T1

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

auf Bestellung 43962 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS468DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 29.2A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 29.2A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIS468DN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS468DN-T1-GE3

MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 838-842 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS468DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS468DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 52
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
Qualifikation: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

SIS468DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS468DN-T1-GE3
Produktcode: 148149

IC > IC andere

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SIS472ADN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A; 18W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 44nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472ADN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.77 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.38 EUR
1000+	0.3 EUR
3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIS472ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 24 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS472ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472ADN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472ADN-T1-GE3

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 13240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS472BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS472BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

auf Bestellung 5450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIS472BDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS472BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 13240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS472BDN-T1-GE3

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SIS472BDN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 4247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.36 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS472BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.11 EUR
10+	0.97 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.48 EUR
3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

auf Bestellung 17606 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.09 EUR
19+	0.95 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 17

SIS472DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS472DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.39 EUR
9000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS472DN-T1-GE3

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SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.74 EUR
6000+	0.71 EUR
9000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS476DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SIS476DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 15876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
13+	1.47 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIS476DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS476DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 282 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS476DN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS476DN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 67847 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.52 EUR
100+	1.18 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.81 EUR
3000+	0.75 EUR
6000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS476DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS478DN-T1-GE3

auf Bestellung 6140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS478DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS478DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS478DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS488DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS488DN-T1-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS434DN-GE3

auf Bestellung 5989 Stücke:

Lieferzeit 555-559 Tag (e)

2+	1.51 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.67 EUR
9000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

Produkt ist nicht verfügbar

SIS488DN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS488DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS488DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS488DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

Produkt ist nicht verfügbar

SIS488DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH Si 40V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

Produkt ist nicht verfügbar

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS496EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

SIS496EDNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS496EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 1198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

569+	0.27 EUR
800+	0.18 EUR
893+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 569

SIS5101

07+

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5101

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5101B30T-TO

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5102

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5102

07+

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5102AOAT-F

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5102QP1HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

Produkt ist nicht verfügbar

SIS5102QP1HT1G

ON Semiconductor

IC Smart Hotplug High Side

Produkt ist nicht verfügbar

SIS5102QP1HT1G

ON Semiconductor

IC Smart Hotplug High Side

auf Bestellung 4630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.62 EUR
1501+	14.2 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIS5102QP2HT1G

onsemi

Description: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Applications: General Purpose

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SIS5103

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5103

07+

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5103B1BT

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5107

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5131

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5142D2R2G

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5159A-F-A.SIS85

auf Bestellung 1009 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS530

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS530

BGA

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS530(A3)

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS530A2

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS530A2 DW

BGA

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS540

00+

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS540

BGA

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS540A1

auf Bestellung 31 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS540A1CX-AB-1

BGA

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS540A1DX-AB-1

BGA

auf Bestellung 547 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS550

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5501

1995

auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5502

1995

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5502

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS55033C

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5511

auf Bestellung 263 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5511B4ET-F-8

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5511E3DT

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS5511F2CT-F-0

1996

auf Bestellung 264 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5512

QFP

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5512

1996

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5512B1BT

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5512DCA2

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5513

1996

auf Bestellung 280 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5513A6NT

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5513A8IT

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5513A8NS-F-O

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5513A8NS-FO

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5513ABNS-F-0

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS551E3DT

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS552LV-A4

03+

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS5571

1998

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5571B1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5571B1CE-B-O

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5581

97+

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5581

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS5582

1998

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS5591

1998

auf Bestellung 1379 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS5591

BGA

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5591A2

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5591A2CR-B-2

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5595

QFP208

auf Bestellung 109 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5595

00+

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5595

QFP

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5595

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5595

07+

auf Bestellung 1077 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5595(B2)

auf Bestellung 972 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5595B2

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5597B2CR

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5598

1998

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5598

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5598B

BGA

auf Bestellung 372 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5598B6

auf Bestellung 110 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5598B60F

BGA

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5598B60F-B-O

auf Bestellung 502 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5598BC2CR

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5600

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5600A0

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5600B2DF-B-0

BGA

auf Bestellung 5819 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS57051

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS5712DN-T1-GE3

MOSFETs N-Channel 150 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8, 55.5 mohm a. 10V 62.4 mohm a. 7.5V

auf Bestellung 10896 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.7 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.87 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

Produkt ist nicht verfügbar

SIS590DN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 4A N/P CH FET

auf Bestellung 2760 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.3 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS590DN-T1-GE3

Description: COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
11+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SIS606BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

auf Bestellung 6370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIS606BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 128425 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.03 EUR
3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS606BDN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.94 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS612EDNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Produkt ist nicht verfügbar

SIS612EDNT-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP

Produkt ist nicht verfügbar

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS620

1999

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS620

auf Bestellung 1442 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS620

BGA

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6202

QFP

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6205

96+

auf Bestellung 1488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6205A5FT

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6205A5FT-F-6

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6205B2MS-F-0

1996

auf Bestellung 2675 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS620A2FX

99+

auf Bestellung 2644 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS620A2HF-CB-1

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6215

QFP

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6215

9942

auf Bestellung 356 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS626DN-T1-GE3

MOSFET 25V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIS630

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630

00+

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630BODX

BGA

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630E

02+

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630E

auf Bestellung 212 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630E

07+

auf Bestellung 1010 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630ET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630ET

07+

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630ET

03+

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630S

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630ST

02+

auf Bestellung 108 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630ST

BGA 08+

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630ST

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS630ST

08+ BGA

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6326

QFP

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6326

01+

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6326

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6326AGP

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6326AGP

QFP

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6326AGP

N/A

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6326AGP

00+

auf Bestellung 214 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6326DVD

00+

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS635A0

BGA

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS645

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS645

07+

auf Bestellung 1053 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS645A2EA-AB-1

BGA

auf Bestellung 907 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS645A2EA-DB-1

BGA

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS645DX

02+ BGA

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS645DX

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS646A0

BGA702

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648

05+

auf Bestellung 2308 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648

07+

auf Bestellung 1049 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648-C0

2004

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648A2CA

BGA

auf Bestellung 3360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648A2CA-AH-1

BGA

auf Bestellung 351 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648A2CA-DH-1

BGA

auf Bestellung 3360 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648BODA-DH-1

BGA

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648FX

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648FX

2003

auf Bestellung 73 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648UA

BGA

auf Bestellung 78 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648UAA2CA-AH-1

BGA

auf Bestellung 135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS648UAA2CA-DH-1

BGA

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS649

auf Bestellung 984 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS649BO DA

BGA

auf Bestellung 1240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS649BODA

09+

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS650

07+

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS650

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS650A1

auf Bestellung 406 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS650GL

auf Bestellung 537 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS650GX

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS650GX

07+

auf Bestellung 1063 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS650GX

02+ BGA

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651

0415

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651

BGA

auf Bestellung 2215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651

03+

auf Bestellung 81 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651

07+

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651-BO

MOT

QFP132

auf Bestellung 2215 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651A1

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651B0DA

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651BO

auf Bestellung 3181 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651UA

auf Bestellung 37 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS651Z

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6532

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS655

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS655A0

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS655B0

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS655FX

00+

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS661

auf Bestellung 412 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS661FX

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS661FX

06+

auf Bestellung 1109 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS661FX B1

03+

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS661FXZ

0611

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS661GX

09+

auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS661GX

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS661MX

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS671

auf Bestellung 792 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS671 A1 BD

BGA

auf Bestellung 5366 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS671A1BD

auf Bestellung 264 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS671BD/A1

auf Bestellung 99 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS671DX

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS671DXA1

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS671FXA1

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS672

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6801

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6801A1AX

QFP100

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6801A1AX

99+

auf Bestellung 2359 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6801A1BX

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6801A1BX-F-0

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS6801AIAX

auf Bestellung 2479 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS681

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS698DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS730S

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS730S-B1-DT

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS740

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS740

BGA

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS740

2002

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS740A1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS741

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS741CX

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS741GX

auf Bestellung 2120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS741GX/A3

auf Bestellung 810 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS741GXA3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS741GXЎЎA3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS745

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS745A1

02+

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS746

auf Bestellung 906 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS746FX

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS748AO AA

BGA

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS755

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS756

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS756A2

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS760

BGA

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS760

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS7600

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS760GXLV

auf Bestellung 211 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS760LV

05+

auf Bestellung 297 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS761GX

auf Bestellung 201 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS761GX A1BA-FB-1

BGA

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS761GX A1CA-FB-1

BGA

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS761GXA1BA-FB-1

05+

auf Bestellung 3410 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS776DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts

auf Bestellung 2675 Stücke:

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SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIS780DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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3+	1.08 EUR
10+	0.92 EUR
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SIS780DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS780DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

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SIS780DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8

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SIS782DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

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SIS782DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

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SIS782DN-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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3+	1 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.6 EUR
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SIS8132

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SIS8205

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SIS8205A

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SIS822DNT-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

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SIS822DNT-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

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SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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10+	0.56 EUR
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1000+	0.23 EUR
3000+	0.2 EUR
6000+	0.18 EUR

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SIS822DNT-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A

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SIS822DNT-T1-GE3

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SIS82C450

89+

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SIS82C451

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SIS82C452

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SiS82C452A

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SIS82C50A

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SIS82C50B

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SIS82C605

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SIS8333B-F-B000

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SIS83C611

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SIS83C611

07+

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SIS83C747

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SIS85-100

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SIS85-2R2PF

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SIS85-3R3

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SIS85-470

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SIS85-6R8

auf Bestellung 700 Stücke:

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SIS85-6R8M

auf Bestellung 1100 Stücke:

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SIS8513C-F-A000

auf Bestellung 240 Stücke:

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SIS85C206

PLCC84

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SIS85C206

N/A

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SIS85C402

1993

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SIS85C407

1994

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SIS85C407QT

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SIS85C420

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SIS85C461

1993

auf Bestellung 11 Stücke:

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SIS85C496PR

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SIS85C497NU

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SIS85C501

1995

auf Bestellung 7 Stücke:

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SIS85C502

QFP208

auf Bestellung 80 Stücke:

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SIS85C502

1995

auf Bestellung 11 Stücke:

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SIS85C502NR

auf Bestellung 240 Stücke:

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SIS85C503

1995

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SIS862ADN-T1-GE3

MOSFETs POWRPK N CHAN 60V

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2+	1.46 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.89 EUR
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1000+	0.64 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.54 EUR

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SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS862ADN-T1-GE3

SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 15181 Stücke:

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12+	1.48 EUR
14+	1.28 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR

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SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS862ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIS862ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

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SIS862DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8

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SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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103+	1.48 EUR
117+	1.25 EUR
120+	1.18 EUR
148+	0.91 EUR
250+	0.84 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 103

SIS862DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V

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SIS862DN-T1-GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 23500 Stücke:

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2+	1.85 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS862DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS862DN-T1-GE3

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SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

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SIS888DN-T1-GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

auf Bestellung 7121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.57 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.09 EUR
6000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS888DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V

auf Bestellung 2135 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 7

SIS890ADN-T1-GE3

SIS890ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

auf Bestellung 6385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.51 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 39W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 14615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS890ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS890ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 14615 Stücke:

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SIS890ADN-T1-GE3

MOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET

auf Bestellung 110588 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.1 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS890ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R

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SIS890DN

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

SIS890DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm

auf Bestellung 27445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS890DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 61045 Stücke:

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2+	1.99 EUR
10+	1.72 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR
6000+	1.03 EUR
9000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

auf Bestellung 29200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.88 EUR
6000+	0.84 EUR
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SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIS890DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 52W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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SIS890DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 60A; 33W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SIS890DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V

auf Bestellung 29467 Stücke:

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9+	2.13 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
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SIS890DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS890DN-T1-GE3

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SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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SIS892ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

auf Bestellung 17318 Stücke:

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SIS892ADN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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10+	1.39 EUR
100+	1.2 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.85 EUR

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SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 14637 Stücke:

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11+	1.64 EUR
14+	1.34 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.72 EUR

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SIS892ADN-T1-GE3

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SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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SIS892ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

auf Bestellung 17318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V

auf Bestellung 14400 Stücke:

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3000+	0.68 EUR
6000+	0.64 EUR
9000+	0.61 EUR

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SIS892ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 504 Stücke:

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126+	1.2 EUR
127+	1.15 EUR
130+	1.09 EUR
164+	0.82 EUR
250+	0.78 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 126

SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1 EUR
6000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 2760 Stücke:

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73+	2.09 EUR
81+	1.8 EUR
84+	1.68 EUR
109+	1.25 EUR
250+	1.18 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 73

SIS892DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS892DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS892DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V

auf Bestellung 6981 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.41 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 8

SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS892DN-T1-GE3

MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

auf Bestellung 1815 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS894DN-T1-E3

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS894DN-T1-GE3

auf Bestellung 25500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS900

auf Bestellung 11500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS900A2CN-F-D

auf Bestellung 11500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

SIS902DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 75V 4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS902DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

Produkt ist nicht verfügbar

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 12900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0167
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS903DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR
6000+	0.59 EUR
9000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS903DN-T1-GE3

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 25880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS903DN-T1-GE3
Produktcode: 182732

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

Produkt ist nicht verfügbar

SIS903DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

SIS903DN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS932EDN-T1-GE3

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 40A
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 14.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 17703 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.4 EUR
9000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 1063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

18+	1 EUR
21+	0.85 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 18

SIS932EDN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS932EDN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

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SIS932EDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0098ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS9446DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 0.0098 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS950

auf Bestellung 522 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS961

02+

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS961

BGA

auf Bestellung 42 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS961

auf Bestellung 8502 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS961

07+

auf Bestellung 1055 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS961A1CA

BGA

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS961A2EA-AB-1

BGA

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS961BOIA

BGA

auf Bestellung 122 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962

03+

auf Bestellung 1047 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962

auf Bestellung 250 Stücke:

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SIS962 A2 IA

BGA

auf Bestellung 900 Stücke:

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SIS962A2

auf Bestellung 265 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962A2IA(CM02)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962L

BGA

auf Bestellung 3325 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962L

08+ BGA

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962L

BGA371

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SiS962LRev:A2

auf Bestellung 100 Stücke:

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SiS962LRev:C1

auf Bestellung 52 Stücke:

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SIS962LU

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962LUA

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962LUA

0415+

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962LUA-C1

0348+

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962UA

04+

auf Bestellung 652 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962UA B1 OA

BGA

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS962UA B1 PA

BGA

auf Bestellung 457 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963

2003

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 11930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 9

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
Dauer-Drainstrom Id: 6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 17.9W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS9634LDN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.88 EUR
6000+	0.84 EUR
9000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SIS9634LDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS9634LDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SIS9634LDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 17.9W
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SIS963A2IA-AB-1

BGA

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963LUA

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963LUA

07+

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963LUA

0502+

auf Bestellung 980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963LUA

BGA

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963LUA-C1

2006

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963LUAC1

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963LUAZ

07+

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963LUAZC1

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963UA

03+

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963UA/B1

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963UAA2IA-AB-1

BGA

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS963UAB1PA-B-1

2003

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964

BGA

auf Bestellung 1056 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964

06+

auf Bestellung 1160 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964 A2

03+

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964A2

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964A2GA

auf Bestellung 1691 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964A2GA-B-1

06+PB

auf Bestellung 10398 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964L

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964L

09+

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964L

05+

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964LA2G-A-B-1

BGA

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964Z

0601

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS964ZA2

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS965

SISI

0548+

auf Bestellung 370 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS965

09+

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS965

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS965/B1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS965B1

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS965B1FA-H-1

auf Bestellung 2022 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS965L

09+

auf Bestellung 103 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS965L

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS966

06+

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS966

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS966L

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS966Z(A1)

auf Bestellung 326 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS968

N/A

auf Bestellung 204 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS968BO

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS968BOAA

08+

auf Bestellung 784 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS9806

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 27791 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 13969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
16+	1.17 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 13

SIS990DN-T1-GE3

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 18830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1.19 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.6 EUR
6000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SIS990DN-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

auf Bestellung 32915 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.56 EUR
10+	1.38 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SISA01DN-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SISA01DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 9385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SISA01DN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

auf Bestellung 5217 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

SISA04DN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

auf Bestellung 40328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.61 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.82 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SISA04DN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5682 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.81 EUR
6000+	0.77 EUR
9000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SISA04DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

auf Bestellung 639 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

104+	1.46 EUR
109+	1.35 EUR
110+	1.28 EUR
134+	1.01 EUR
250+	0.96 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 104

SISA04DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

SISA04DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SISA04DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

auf Bestellung 32317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.95 EUR
12+	1.6 EUR
100+	1.24 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

auf Bestellung 5770 Stücke:

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12+	1.57 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0023 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 63W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 5516 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SISA10BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SISA10BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

auf Bestellung 11292 Stücke:

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2+	1.42 EUR
10+	1.17 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SISA10BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0023 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 5516 Stücke:

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SISA10DN

MOSFET

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SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors

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SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

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SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 5263 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
11+	1.64 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 10

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SISA10DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SISA10DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SISA10DN-T1-GE3

MOSFET For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3

auf Bestellung 2153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.64 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.68 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SISA12ADN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain current: 25A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V

Produkt ist nicht verfügbar

SISA12ADN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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SISA12ADN-T1-GE3

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3

auf Bestellung 18374 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

auf Bestellung 12178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.32 EUR
16+	1.14 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 14

SISA12ADN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SISA12ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.5 EUR
6000+	0.47 EUR
9000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SISA12ADN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 2833 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SISA12BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

auf Bestellung 11899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.35 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SISA12BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V

auf Bestellung 6024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
13+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 12

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SISA12DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Produkt ist nicht verfügbar

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.42 EUR
6000+	0.4 EUR
9000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SISA14BDN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 58A; Idm: 130A; 29W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Power dissipation: 29W
Pulsed drain current: 130A
Gate-source voltage: ±20/±-16V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 58A
On-state resistance: 7.02mΩ
Gate charge: 22nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

SISA14BDN-T1-GE3

Description: VISHAY - SISA14BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0037 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 5970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

SISA14BDN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30-V MSFT

auf Bestellung 34645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.11 EUR
10+	0.98 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

SISA14BDN-T1-GE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V

auf Bestellung 14025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.11 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 16

SISA14BDN-T1-GE3

Produkt ist nicht verfügbar

SISA14BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

SISA14BDN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R

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SISA14DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

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MOSFETs For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3

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SISA14DN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V

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SISA14DN-T1-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Power dissipation: 17W
Pulsed drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20/±-16V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate charge: 29nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced

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