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SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SISA12ADN-T1-GE3 nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.36 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SISA12ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V |
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SISA12ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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SISA12ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SISA12ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain current: 25A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SISA12ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain current: 25A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 45nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 30V |
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