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Silicon Carbide Power Mosfet

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IMW120R007M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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Mindestbestellmenge: 240

IMW120R007M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 137 Stücke:

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IMW120R007M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMW120R007M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V

auf Bestellung 436 Stücke:

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1+	97.1 EUR
30+	85.33 EUR
120+	79.44 EUR

IMW120R007M1HXKSA1

SP005425447

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IMW120R007M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 179 Stücke:

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1+	107.03 EUR
10+	97.31 EUR
25+	94.05 EUR
50+	90.82 EUR
100+	87.58 EUR
240+	84.3 EUR
480+	83.49 EUR

IMW120R014M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 480 Stücke:

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30+	65.52 EUR
50+	60.4 EUR
100+	55.48 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IMW120R014M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 23.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580 pF @ 800 V

auf Bestellung 110 Stücke:

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1+	53.63 EUR
30+	44.46 EUR

IMW120R014M1HXKSA1

SP005425449

auf Bestellung 450 Stücke:

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IMW120R014M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 89.3A; Idm: 267.9A; 227W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 89.3A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 227W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 267.9A
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IMW120R014M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 480 Stücke:

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240+	61.95 EUR

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IMW120R014M1HXKSA1

MOSFET

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10+	57.82 EUR
25+	54.37 EUR
50+	52.55 EUR
100+	50.74 EUR
240+	48.93 EUR
480+	46.66 EUR

IMW120R014M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 228 Stücke:

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2+	78.89 EUR
10+	72.75 EUR
25+	66.48 EUR
50+	60.54 EUR
100+	54.91 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMW120R014M1HXKSA1

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IMW120R014M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 228 Stücke:

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2+	78.89 EUR
10+	72.75 EUR
25+	66.48 EUR
50+	60.54 EUR
100+	54.91 EUR

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IMW120R020M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 434 Stücke:

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1+	41.04 EUR
10+	36.47 EUR
25+	34.02 EUR
50+	32.96 EUR
100+	31.91 EUR
240+	29.76 EUR
480+	27.37 EUR

IMW120R020M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 160 Stücke:

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4+	40.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IMW120R020M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...20V
Pulsed drain current: 213A
Case: TO247

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IMW120R020M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 160 Stücke:

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4+	40.92 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IMW120R020M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V

auf Bestellung 176 Stücke:

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1+	40.73 EUR
30+	33.77 EUR
120+	31.66 EUR

IMW120R020M1HXKSA1

SP005448291

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IMW120R020M1HXKSA1

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IMW120R030M1H

MOSFET SIC DISCRETE

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IMW120R030M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 150A
Case: TO247

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IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	23.68 EUR
25+	22.25 EUR
50+	20.53 EUR
100+	18.2 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IMW120R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 690 Stücke:

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IMW120R030M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

auf Bestellung 1108 Stücke:

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1+	27.6 EUR
10+	25.56 EUR
25+	22.92 EUR
50+	22.7 EUR
100+	21.56 EUR
240+	19.76 EUR
480+	19.11 EUR

IMW120R030M1HXKSA1
Produktcode: 164203

Transistoren > MOSFET N-CH

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IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	22.5 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	22.29 EUR
25+	21.27 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IMW120R030M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 800 V

auf Bestellung 1591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.98 EUR
30+	22.66 EUR
120+	21.32 EUR
510+	19.32 EUR

IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A Tube

auf Bestellung 142 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW120R030M1HXKSA1

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IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	23.02 EUR
25+	21.67 EUR
50+	20.09 EUR
100+	18.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1174 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	25.61 EUR
10+	23.96 EUR
240+	21.67 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	23.68 EUR
25+	22.25 EUR
50+	20.53 EUR
100+	18.2 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	22.29 EUR
25+	21.27 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IMW120R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 152 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	23.05 EUR
25+	21.7 EUR
50+	20.13 EUR
100+	18.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IMW120R040M1HXKSA1

Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 nF @ 25 V

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.67 EUR
30+	23.21 EUR
120+	21.84 EUR

IMW120R040M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW120R040M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	30.21 EUR
10+	27.15 EUR
25+	24.93 EUR
50+	22.78 EUR
100+	20.72 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IMW120R040M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	30.21 EUR
10+	27.15 EUR
25+	24.93 EUR
50+	22.78 EUR
100+	20.72 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IMW120R040M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	31.54 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IMW120R040M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	24.82 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMW120R040M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW120R040M1HXKSA1

MOSFET

auf Bestellung 217 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.86 EUR
10+	28.95 EUR
25+	28.18 EUR
50+	26.59 EUR
100+	25.03 EUR
240+	24.24 EUR
480+	22.69 EUR

IMW120R045M1

Infineon

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IMW120R045M1

MOSFET SIC DISCRETE

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IMW120R045M1XKSA1

SiC MOSFETs Y

auf Bestellung 1657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.68 EUR
10+	21.77 EUR
25+	19.99 EUR
50+	19.92 EUR
100+	18.81 EUR
240+	18.22 EUR
480+	15.98 EUR

IMW120R045M1XKSA1

Description: INFINEON - IMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 228
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 147 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	31.42 EUR
10+	27.63 EUR
100+	23.13 EUR
480+	19.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IMW120R045M1XKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.88 EUR
10+	28.97 EUR

IMW120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube

auf Bestellung 850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW120R045M1XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...20V
Pulsed drain current: 130A
Case: TO247

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IMW120R045M1XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IMW120R045M1XKSA1
Produktcode: 172225

Transistoren > MOSFET N-CH

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IMW120R045M1XKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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5+	31.42 EUR
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IMW120R060M1H

Infineon SIC DISCRETE

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IMW120R060M1HXKSA1

SP001808368

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IMW120R060M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V

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IMW120R060M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

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10+	15.7 EUR
25+	13.71 EUR
100+	13.11 EUR
240+	11.9 EUR
480+	11.55 EUR
1200+	10.65 EUR

IMW120R060M1HXKSA1

SP001808368

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IMW120R060M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 76A; 75W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
On-state resistance: 113mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 76A
Case: TO247

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IMW120R060M1HXKSA1

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IMW120R060M1HXKSA1

SP001808368

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IMW120R090M1H

MOSFET SIC DISCRETE

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IMW120R090M1HXKSA1

1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

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IMW120R090M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

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10+	14.77 EUR
25+	11.11 EUR
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240+	10.35 EUR
480+	8.69 EUR
5040+	8.57 EUR

IMW120R090M1HXKSA1
Produktcode: 182112

Transistoren > MOSFET N-CH

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IMW120R090M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V

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30+	12.12 EUR
120+	10.85 EUR
510+	9.57 EUR

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IMW120R090M1HXKSA1

1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

auf Bestellung 216 Stücke:

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IMW120R090M1HXKSA1

1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

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IMW120R090M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 50A
Case: TO247

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IMW120R090M1HXKSA1

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IMW120R090M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1052 Stücke:

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IMW120R140M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

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1+	14.34 EUR
10+	13.71 EUR
25+	11.21 EUR
100+	10.16 EUR
240+	9.5 EUR
480+	8.13 EUR
1200+	7.76 EUR

IMW120R140M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V

auf Bestellung 210 Stücke:

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2+	14.1 EUR
10+	12.09 EUR
100+	10.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMW120R140M1HXKSA1

SP001946184

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IMW120R140M1HXKSA1

SP001946184

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IMW120R140M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 13A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 32A
Case: TO247

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IMW120R140M1HXKSA1

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IMW120R140M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 29 Stücke:

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IMW120R220M1H

Infineon

auf Bestellung 240 Stücke:

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IMW120R220M1H

MOSFET SIC DISCRETE

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IMW120R220M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A Tube

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IMW120R220M1HXKSA1

N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3

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IMW120R220M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 9.5A; Idm: 21A; 37.5W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9.5A
On-state resistance: 416mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 37.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 21A
Case: TO247

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IMW120R220M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 394 Stücke:

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IMW120R220M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.57 EUR
10+	12.5 EUR
25+	11.51 EUR
100+	10.42 EUR
240+	9.64 EUR
480+	8.27 EUR
1200+	7.9 EUR

IMW120R220M1HXKSA1

N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3

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IMW120R220M1HXKSA1

N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	9.12 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMW120R220M1HXKSA1

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IMW120R220M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V

auf Bestellung 1255 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.96 EUR
30+	8.75 EUR
120+	7.83 EUR
510+	6.91 EUR
1020+	6.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMW120R350M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 4.7A; Idm: 13A; 30W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 662mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -7...23V
Pulsed drain current: 13A
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IMW120R350M1HXKSA1

Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V

auf Bestellung 1363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.11 EUR
30+	5.68 EUR
120+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IMW120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A Tube

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IMW120R350M1HXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IMW120R350M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 69 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW120R350M1HXKSA1

MOSFET SIC DISCRETE

auf Bestellung 283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.39 EUR
10+	10.28 EUR
100+	8.99 EUR
480+	7.43 EUR
1200+	7.18 EUR

IMW120R350M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.86 EUR
16+	9.51 EUR
25+	8.9 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IMW65R007M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V

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IMW65R007M2HXKSA1

IMW65R007M2HXKSA1

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IMW65R007M2HXKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	62.5 EUR
10+	56.48 EUR
25+	53.24 EUR
50+	52.36 EUR
100+	48.88 EUR
240+	46.04 EUR
480+	43.86 EUR

IMW65R015M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A

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IMW65R015M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A

Produkt ist nicht verfügbar

IMW65R015M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IMW65R015M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 93A

Produkt ist nicht verfügbar

IMW65R015M2HXKSA1

SiC MOSFETs Y

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	35.06 EUR
10+	32.23 EUR
25+	30.89 EUR
100+	27.23 EUR
240+	25.36 EUR
480+	23.72 EUR
1200+	22.63 EUR

IMW65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	28.73 EUR
10+	25.79 EUR
25+	23.85 EUR
50+	22.05 EUR
100+	20.42 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IMW65R020M2HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW65R020M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	32.49 EUR
10+	29.86 EUR
25+	28.63 EUR

IMW65R020M2HXKSA1

IMW65R020M2HXKSA1

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IMW65R020M2HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

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IMW65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A

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IMW65R020M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A

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IMW65R027M1HXKSA1
Produktcode: 193216

Transistoren > MOSFET N-CH

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IMW65R027M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

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100+	22.44 EUR
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IMW65R027M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 185A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 189W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IMW65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R027M1HXKSA1

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IMW65R027M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 295 Stücke:

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IMW65R027M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V

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30+	18.94 EUR
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IMW65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R027M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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10+	22.89 EUR
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200+	17.27 EUR

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IMW65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 7440 Stücke:

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240+	18.08 EUR

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IMW65R030M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 152 Stücke:

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IMW65R030M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V

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IMW65R030M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMW65R030M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R030M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 549 Stücke:

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1+	25.5 EUR
10+	23.83 EUR
25+	21.86 EUR
50+	21.07 EUR
100+	19.82 EUR
480+	17.97 EUR
1200+	16.79 EUR

IMW65R039M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 237 Stücke:

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IMW65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 41 Stücke:

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11+	13.94 EUR
25+	12.3 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IMW65R039M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V

auf Bestellung 258 Stücke:

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2+	13.43 EUR
30+	10.72 EUR
120+	9.93 EUR

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IMW65R039M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMW65R039M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

auf Bestellung 70 Stücke:

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1+	13.39 EUR
25+	12.11 EUR
100+	10.3 EUR

IMW65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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11+	14.94 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IMW65R039M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	13.94 EUR
25+	12.3 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IMW65R040M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A Tube

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IMW65R040M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V

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IMW65R040M2HXKSA1

Trans MOSFET

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IMW65R040M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A Tube

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IMW65R040M2HXKSA1

SiC MOSFETs Y

auf Bestellung 262 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.46 EUR
10+	15.79 EUR
25+	15.05 EUR
100+	13.06 EUR
240+	12.48 EUR
480+	10.93 EUR
1200+	9.7 EUR

IMW65R048M1H

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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7+	23.37 EUR
10+	21.85 EUR
20+	20.47 EUR
50+	19.22 EUR
100+	18.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IMW65R048M1H

MOSFET

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IMW65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R048M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.69 EUR
25+	11.05 EUR

IMW65R048M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V

auf Bestellung 1243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.99 EUR
30+	9.57 EUR
120+	8.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IMW65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IMW65R048M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IMW65R048M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 78 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IMW65R048M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 509 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW65R048M1HXKSA1

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IMW65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A Tube

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IMW65R050M2HXKSA1

SiC MOSFETs Y

auf Bestellung 133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.26 EUR
10+	13.78 EUR
25+	13.15 EUR
100+	11.4 EUR
240+	10.31 EUR
480+	9.54 EUR
1200+	8.47 EUR

IMW65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A Tube

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IMW65R050M2HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IMW65R050M2HXKSA1

Trans MOSFET

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IMW65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 472 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.67 EUR
14+	10.96 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IMW65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.8 EUR
12+	13.25 EUR
25+	11.68 EUR
100+	10.09 EUR
240+	9.42 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IMW65R057M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IMW65R057M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.93 EUR
10+	15.36 EUR
25+	13.94 EUR
100+	12.8 EUR
240+	12.04 EUR
480+	11.3 EUR
1200+	10.17 EUR

IMW65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.8 EUR
12+	13.25 EUR
25+	11.68 EUR
100+	10.09 EUR
240+	9.42 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IMW65R057M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.81 EUR
30+	14.22 EUR

IMW65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	11.23 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IMW65R057M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 210 Stücke:

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IMW65R072M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W; TO247
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 94mΩ
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Case: TO247
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 69A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IMW65R072M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V

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IMW65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R072M1HXKSA1

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IMW65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R072M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R072M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IMW65R072M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

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480+	7.6 EUR
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IMW65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R083M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R083M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IMW65R083M1HXKSA1

MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

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10+	13.25 EUR
25+	11.21 EUR
100+	9.89 EUR
240+	9.49 EUR
480+	8.15 EUR
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IMW65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R083M1HXKSA1

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V

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IMW65R083M1HXKSA1

Silicon Carbide Power Mosfet

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IMW65R083M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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25+	8.04 EUR

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IMW65R107M1HXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

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IMW65R107M1HXKSA1

Description: INFINEON - IMW65R107M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 131 Stücke:

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IMW65R107M1HXKSA1

SiC MOSFETs Y

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10+	8.98 EUR
100+	8.03 EUR
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1200+	5.97 EUR
10080+	5.95 EUR

IMW65R107M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

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IMW65R107M1HXKSA1

Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V

auf Bestellung 614 Stücke:

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2+	11.11 EUR
30+	8.86 EUR
120+	7.93 EUR
510+	7 EUR

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IMW65R107M1HXKSA1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IMW65R107M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

auf Bestellung 37680 Stücke:

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240+	7.82 EUR

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IMW65R107M1HXKSA1

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IMW65R107M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.43 EUR
14+	10.61 EUR
50+	9.72 EUR
100+	8.58 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IMW65R107M1HXKSA1

CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package

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IMWH170R450M1XKSA1

SiC MOSFETs Y

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1+	11.33 EUR
10+	9.72 EUR
25+	8.82 EUR
100+	8.1 EUR
240+	7.6 EUR
480+	7.13 EUR
1200+	6.42 EUR

IMWH170R650M1XKSA1

SiC MOSFETs Y

auf Bestellung 176 Stücke:

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1+	10.35 EUR
10+	8.69 EUR
25+	8.2 EUR
100+	7.04 EUR
240+	6.64 EUR
480+	6.23 EUR
1200+	5.33 EUR

IMWPAWFXH

Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn, Alu, Rope, Cad

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IMWPAWSXH

Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Cap, MW Plug Conn, Alu, SS Chain, Cad

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Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Ring, Cad

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IMWPBWFXH

Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Rope, Cad

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IMWPBWGNH

Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Ring, Cad

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Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, Cord, Cad

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IMWPBWSNH

Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Ring, Cad

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IMWPBWSXH

Circular MIL Spec Connector Cap, MW Plug Conn,Brass, SS Chain, Cad

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IMWRAWFXH

Circular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Rope, Cad

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IMWRAWGNH

Circular MIL Spec Connector Cap, MW Rec Conn, Alu, Cord, Ring, Cad

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IMWRBWFXH