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IKB03N120H2

INF

TO-263

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IKB03N120H2

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

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IKB03N120H2ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IKB03N120H2ATMA1

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

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IKB06N60T

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

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IKB06N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A

auf Bestellung 85 Stücke:

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2+	2.66 EUR
10+	2.20 EUR
100+	1.76 EUR
250+	1.63 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.27 EUR
2000+	1.20 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IKB06N60T

infineon

07+

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

auf Bestellung 765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.03 EUR
10+	2.59 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB06N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V

Produkt ist nicht verfügbar

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 7000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB06N60TATMA1

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IKB06N60TATMA1

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 6A

auf Bestellung 917 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.54 EUR
10+	2.52 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.25 EUR
2000+	1.17 EUR

IKB06N60TATMA1

auf Bestellung 870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB10N60T

INF

TO-263

auf Bestellung 18000 Stücke:

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IKB10N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A

auf Bestellung 973 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.85 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.88 EUR
250+	1.74 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.36 EUR
2000+	1.29 EUR

IKB10N60T

Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IKB10N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 691 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

29+	2.52 EUR
38+	1.89 EUR
44+	1.66 EUR
46+	1.57 EUR
50+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IKB10N60TATMA1

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A

auf Bestellung 1386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.20 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.26 EUR
2000+	1.25 EUR

IKB10N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1606 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.38 EUR
73+	2.16 EUR
100+	1.82 EUR
200+	1.67 EUR
500+	1.60 EUR
1000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 69

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60TATMA1

auf Bestellung 1606 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB10N60TATMA1

auf Bestellung 691 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	2.52 EUR
38+	1.89 EUR
44+	1.66 EUR
46+	1.57 EUR
50+	1.50 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB15N60T

Description: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60T

INF

TO-263

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB15N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 15A

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.78 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.61 EUR

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 832 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.66 EUR
22+	3.29 EUR
28+	2.62 EUR
30+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB15N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60TATMA1

auf Bestellung 832 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	3.66 EUR
22+	3.29 EUR
28+	2.62 EUR
30+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

auf Bestellung 1549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.10 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.29 EUR
500+	1.85 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

auf Bestellung 875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.05 EUR
10+	3.96 EUR
100+	2.77 EUR
500+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB15N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY 14

auf Bestellung 947 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.58 EUR
10+	3.91 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.06 EUR
2000+	2.04 EUR

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB20N60H3

IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT

auf Bestellung 924 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.68 EUR
10+	3.20 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.67 EUR
2000+	1.64 EUR

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB20N60H3ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.17 EUR
10+	3.35 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.77 EUR
100+	1.70 EUR
200+	1.64 EUR
500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 89

IKB20N60H3ATMA1

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IKB20N60T

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IKB20N60T

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

auf Bestellung 1838 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.36 EUR
10+	3.34 EUR
100+	2.60 EUR
250+	2.36 EUR
500+	2.13 EUR
1000+	2.02 EUR

IKB20N60TA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IKB20N60TAATMA1

Description: IGBT 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IKB20N60TAATMA1372

Description: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

auf Bestellung 8089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.04 EUR
10+	3.94 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1669 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 85

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 930 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.32 EUR
100+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 71

IKB20N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.08 EUR
2000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB20N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.60 EUR

Mindestbestellmenge: 63

IKB20N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1641 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1669 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.57 EUR
71+	2.22 EUR
72+	2.12 EUR
100+	1.81 EUR
250+	1.73 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 64

IKB20N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY 14

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.70 EUR
10+	3.77 EUR
25+	3.73 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.29 EUR

IKB20N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 927 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	3.66 EUR
22+	3.29 EUR
25+	2.90 EUR
27+	2.75 EUR
100+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

auf Bestellung 788 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.60 EUR
10+	4.34 EUR
100+	3.04 EUR
500+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB20N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N65EH5ATMA1 - IGBT, 38 A, 1.65 V, 125 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 38A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 698 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N65EH5ATMA1

auf Bestellung 698 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB20N65EH5ATMA1

auf Bestellung 927 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	3.66 EUR
22+	3.29 EUR
25+	2.90 EUR
27+	2.75 EUR
100+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKB30N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY 14

auf Bestellung 975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.11 EUR
10+	4.66 EUR
25+	4.52 EUR
100+	3.52 EUR
250+	3.50 EUR
500+	2.90 EUR
1000+	2.76 EUR

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 4818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.67 EUR
10+	5.07 EUR
100+	3.59 EUR
500+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

auf Bestellung 899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.50 EUR
50+	3.19 EUR
51+	3.02 EUR
100+	2.69 EUR
250+	2.55 EUR
500+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 47

IKB30N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 35A

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

auf Bestellung 899 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.50 EUR
50+	3.19 EUR
51+	3.02 EUR
100+	2.69 EUR
250+	2.55 EUR
500+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 47

IKB30N65EH5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	2.78 EUR
2000+	2.74 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB30N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Pulsed collector current: 120A
Collector current: 39.5A

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65ES5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

auf Bestellung 2244 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.73 EUR
10+	5.11 EUR
100+	3.62 EUR
500+	2.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB30N65ES5ATMA1

IGBTs INDUSTRY 14

auf Bestellung 959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.68 EUR
10+	4.35 EUR
100+	3.20 EUR
500+	2.76 EUR

IKB40N65EF5

Infineon INDUSTRY 14

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IKB40N65EF5ATMA1

IGBTs INDUSTRY 14

auf Bestellung 1961 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.32 EUR
10+	5.30 EUR
25+	5.00 EUR
100+	4.08 EUR
250+	3.89 EUR
500+	3.43 EUR
1000+	3.34 EUR

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.80 EUR
25+	6.36 EUR
50+	6.05 EUR
100+	4.78 EUR
200+	4.36 EUR
500+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IKB40N65EF5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 736 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.94 EUR
28+	5.64 EUR
29+	5.37 EUR
100+	4.26 EUR
250+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5ATMA1

auf Bestellung 736 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 1096 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.76 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.16 EUR
500+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.94 EUR
28+	5.64 EUR
29+	5.37 EUR
100+	4.26 EUR
250+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IKB40N65EF5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 13000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB40N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65EH5ATMA1

IGBTs INDUSTRY 14

auf Bestellung 786 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.41 EUR
10+	5.56 EUR
25+	5.39 EUR
100+	4.03 EUR
250+	4.01 EUR
500+	3.38 EUR
1000+	3.34 EUR

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.72 EUR
25+	6.52 EUR
50+	6.26 EUR
100+	6.00 EUR
200+	5.50 EUR
500+	4.70 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IKB40N65EH5ATMA1

auf Bestellung 1830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.76 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.16 EUR
500+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB40N65ES5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	3.80 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

auf Bestellung 8583 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.76 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.16 EUR
500+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IKB40N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.45 EUR
23+	6.91 EUR
50+	5.07 EUR
100+	4.86 EUR
200+	4.38 EUR
500+	3.70 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

IKB40N65ES5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 517 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IKB40N65ES5ATMA1