Produkte > IDD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| IDD-04-G | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY | auf Bestellung 1413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD-05-G | Samtec | Conn IDC Connector SKT 10 POS Solder RA Thru-Hole | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-05-G | Samtec | Samtec | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-06-G | Samtec | CABLE ASSEMBLIES | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-07-G | Samtec | CONNECTORS Board to board connectors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-07-T | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD-08-G | Samtec | Board-To-Board Connector, IDD Series, 16 Contacts, Receptacle | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-11-G | Samtec | IDD-11-G^SAMTEC | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-12250A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters - Chassis Mount 50W+60W DC/DC 12V input 12V/5V/5VSB output | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-13-G | Samtec | Slim Body Flat Ribbon IDC Cable | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-241100-R10 | IEI | Isolated DC/DC Converters 100 W DC/DC 24 V input; 12 V output with 100W total power. | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD-2412 | TAMURA | 02+ WCA4-2 | auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD-25-G | Samtec Inc. | Description: FEMALE CABLE BASE ASSEMBLY | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD-25-G | Samtec | Ribbon Cables / IDC Cables | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD-930160-KIT-R20 | IEI | Isolated DC/DC Converters POWER(DC->DC),9-30V INPUT,60W,O/P 12V 5A(MAX),,,RoHS | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD-936160-R10 | IEI Technology Corporation | IDD-936160-R10 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-936160-R20 | IEI | Isolated DC/DC Converters - Chassis Mount 60W DC/DC 9 36V input 12V output | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 75-79 Tag (e) |
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| IDD-936160-R20 | IEI Technology Corporation | Module DC-DC 1-OUT 12V 5A 60W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-936260A-R10 | IEI Technology Corporation | COMPACT SIZE 60W DC/DC CONVERTER MODULE | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-936260A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters 60W DC/DC 9 36V input 12V/5V/5VSB output | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD-9364120A-R11 | IEI | Isolated DC/DC Converters 120W DC/DC 9 36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD03E60 | infineon | 03+ | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD03E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 3A | auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD03E60# | Infineon | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDD03E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 7.3A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | IDD03SG60C SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA | auf Bestellung 88718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD03SG60CXTMA1 - IDD03SG60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 59868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | auf Bestellung 1671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD03SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD03SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 11703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD03SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD03SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 600 V, 3 A, 3.2 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 3.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD04S60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode | auf Bestellung 123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD04S60C Produktcode: 51664 | Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| IDD04S60C | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04S60C | INFINEON | TO252 06+ | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD04S60CBUMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04S60CBUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5.6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04S60CBUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5.6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | IDD04SG60C SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60CHUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD04SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 14403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 3416 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD04SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V | auf Bestellung 10494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD04SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 14643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD05-03S4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-03S4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-03S5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-03S5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-05D4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-05D4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-05D5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-05D5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-05S4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-05S4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-05S5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-05S5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-12D4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-12D4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-12D5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-12D5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-12S4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-12S4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-12S5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-12S5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-15D4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-15D4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-15D5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-15D5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-15S4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-15S4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05-15S5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD05-15S5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05G | Samtec | Samtec | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | IDD05SG60C SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05SG60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 7475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD05SG60CXTMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD05SG60CXTMA2 - XDD05SG60 - SIC DIODES tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2915 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD05SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD06E60 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 600V 14.7A 70ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06E60 Produktcode: 63442 | Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| IDD06E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 14.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 14.7A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06E60BUMA1 Produktcode: 122046 | Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| IDD06E60XT | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCHING EMCON DIODE 600V 6A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | IDD06SG60C SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CHUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSic 3G thinQ, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSic 3G thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | auf Bestellung 9975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 4269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD06SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD06SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSic 3G thinQ, Einfach, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: CoolSic 3G thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD06SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD08SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 7395 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD08SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 12nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD08SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | 3rd Generation thinQ SiC Schottky Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD09E60 | infineon | 03+ | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD09E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 9A | auf Bestellung 2451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD09E60BUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD09E60BUMA1 - IDD09E60 - SILICON POWER DIODE euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD09E60BUMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 19.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 19.3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD09SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD09SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | IDD09SG60C SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDD09SG60CXTMA2 - IDD09SG60C 3 RD GENERATION THINQ! SIC S tariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD09SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 1671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD09SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD09SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD10-03S1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-03S1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
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| IDD10-05S1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-05S1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-05S2U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-05S2U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-05S3U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-05S3U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-05S4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-05S4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-05S5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-05S5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12D1U | Chinfa | DC-DC перетворювач; Кіл. вих. кан. = 2; Uвих1, В = 12; Uвих2, В = -12; Pвих, Вт = 10; Uвх (max), В = 18; Uвх (min), В = 9; Iвих1, А = 0,42; Iвих2, А = 0,42; Uізол., В = 1 500; ККД, % = 88; Uвих, % = 2; Габ. розм, мм = 50,8 x 25,4 x 10,2; Рів. пульс., мВ = | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDD10-12D1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12D1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12D2U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12D2U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12D3U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12D3U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12D4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12D4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12D5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12D5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12S1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12S1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12S2U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12S2U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12S3U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12S3U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12S4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12S4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-12S5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-12S5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15D1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15D1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15D2U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15D2U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15D3U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15D3U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15D4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15D4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15D5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15D5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15S1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15S1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15S2U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15S2U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15S3U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15S3U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15S4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15S4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10-15S5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD10-15S5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 1579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | IDD10SG60C SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 5314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD10SG60CXTMA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IDD10SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 10 A, 16 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 16nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 5314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD10SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 600 V | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDD12SG60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODEN | auf Bestellung 1533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDD12SG60C | INFINEON TECHNOLOGIES | IDD12SG60C SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD12SG60CXTMA2 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-03S1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-03S1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-03S2U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-03S2U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-03S3U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-03S3U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-03S4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-03S4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-03S5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-03S5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-05D1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-05D1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-05D2U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-05D2U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-05D3U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-05D3U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-05D4U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-05D4U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-05D5U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-05D5U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDD15-05S1U | CHINFA ELECTRONICS | IDD15-05S1U DC/DC Converters | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
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| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
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| IDDD10G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | SiC Schottky Diodes SIC DIODES | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD10G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD10G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 29 A, 14.7 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 29A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
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| IDDD12G65C6XTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD12G65C6XTMA1 - IDDD12G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 34A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 3032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 34A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 34A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD12G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD12G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 34 A, 17.1 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 34A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 1167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10 Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | auf Bestellung 3400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 43A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 43A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDDD16G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD16G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6 | Infineon Technologies | Infineon SIC DIODES | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IDDD20G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V | auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDDD20G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 26.8nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 51A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 67 µA @ 420 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD20G65C6XTMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 51A 10-Pin HDSOP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDD371AA-M04 | auf Bestellung 10193 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| IDDM74ALS244ASJ | 98 SOP | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74ALS32SJ | 07+ | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74ALS32SJ | 98+ SOP | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS05SJ | 07+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS05SJ | 98 SOP | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS132SJ | 98 SOP | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS132SJ | 07+ | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS139SJ | 98 SOP | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS139SJ | 07+ | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS14SJ | 98 SOP | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS157SJ | 98 SOP | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS157SJ | 07+ | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDM74LS74ASJ | 98+ SOP | auf Bestellung 632 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| IDDV-6304140A-R10 | IEI Technology Corporation | 140Watt DC to DC Power Supplies | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| IDDV-6304140A-R10 | IEI | Isolated DC/DC Converters 140W DC/DC 6-30V DC input,Vehicle Converter Module,RoHS | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |