IDD04SG60CXTMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
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Technische Details IDD04SG60CXTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen III Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IDD04SG60CXTMA2 nach Preis ab 1.87 EUR bis 3.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IDD04SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
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IDD04SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: PG-TO252-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
auf Bestellung 11854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDD04SG60CXTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDD04SG60CXTMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Produktpalette: thinQ Gen III Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDD04SG60CXTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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