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IDDD06G65C6XTMA1

IDDD06G65C6XTMA1 Infineon Technologies


24infineon-iddd06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R
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Technische Details IDDD06G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies 24infineon-iddd06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 18A 10-Pin HDSOP EP T/R
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IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IDDD06G65C6_DS_v02_00_EN-1731439.pdf SiC Schottky Diodes Y
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IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004843289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: HDSOP
Kapazitive Gesamtladung: 9.6nC
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
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Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004843289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDDD06G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP
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Anzahl der Pins: 10-polig
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productTraceability: No
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IDDD06G65C6XTMA1 IDDD06G65C6XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDDD06G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f86ff8c0e09 Description: DIODE SIL CARB 650V 18A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 18A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V
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