Produkte > DIODES INC. > Alle Produkte des Herstellers DIODES INC. (9082) > Seite 55 nach 152
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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MB10S-13 | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - MB10S-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, MBS, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: MBS usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 107104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013UW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 40695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013T-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 107104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013UW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 40695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013UWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMG1013UWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 820mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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US3M-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.8V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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US3M-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) Durchlassstoßstrom: 120A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.8V Sperrverzögerungszeit: 85ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84W-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 40214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AS358MTR-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: -V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 0.02µA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AS358MTR-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: -V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 0.02µA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AS358AMTR-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: -V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 0.02µA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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AS358AMTR-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: -V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 0.02µA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM4040B25FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM4040B25FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, AEC-Q100 LM4040, 2.5V, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Referenzspannung, max.: 2.505V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.495V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 20ppm/C Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LM4040 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, fest Anfangsgenauigkeit: 0.2% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 15867 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ10CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 12.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 10V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ10CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.1V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 12.8V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 10V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3099L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.08W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 70704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3099L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.08W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 70704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3099L-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
auf Bestellung 29645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3099L-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.08W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 30235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMC2400UV-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC2400UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2902AQT14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2902AQT14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2902QS14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85411000 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2902AQS14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85411000 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2902QS14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85411000 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 2mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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LM2902AQS14-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s) tariffCode: 85411000 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 0.3V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOIC usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz Eingangsoffsetspannung: 1mV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: -20nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT4403-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 46710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT4403-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 46710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT4403T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT4403T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBR20100CTF-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MBR20100CTF-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220F, 3 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBR20100CT-G1 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MBR20100CT-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220, 3 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZMR250FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZMR250FTA - Linearer Festspannungsregler, positiv, 6.5V bis 20Vin, 2.5Vout und 0.1Aout, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 100 Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5 usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Betriebstemperatur, min.: -55 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 20 Bauform - Linearregler: SOT-23 euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 6.5 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SMB5925B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1SMB5925B - Zener-Diode, 10 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5711WS-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1N5711WS-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 15 mA, 1 V, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 1ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5711 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SMB5922B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1SMB5922B - Zener-Diode, 7.5 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 7.5V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SMB5921B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 1SMB5921B - Zener-Diode, 6.8 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 215676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 32464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 32464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 200mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904FA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3904FA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMST3904-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMST3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 84363 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906FA-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 435mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906FZ-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 925mW Bauform - Transistor: X2-DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| MB10S-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MB10S-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, MBS, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: MBS
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MB10S-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 800 mA, MBS, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: MBS
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMG1013T-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 107104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMG1013UW-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMG1013T-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013T-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 460 mA, 0.5 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 107104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMG1013UW-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMG1013UWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMG1013UWQ-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG1013UWQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 820 mA, 0.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 820mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| US3M-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| US3M-13 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - US3M-13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.8 V, 85 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.8V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BSS84W-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 40214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| AS358MTR-G1 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
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Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| AS358MTR-G1 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AS358MTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| AS358AMTR-G1 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| AS358AMTR-G1 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AS358AMTR-G1 - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: -V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: -MHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 0.02µA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| LM4040B25FTA |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM4040B25FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, AEC-Q100 LM4040, 2.5V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.505V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 20ppm/C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - LM4040B25FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, AEC-Q100 LM4040, 2.5V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 2.505V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 20ppm/C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 15867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SMBJ10CA-13-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SMBJ10CA-13-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - SMBJ10CA-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMBJ, Bidirektional, 10 V, 17 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 12.8V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3099L-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.08W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.08W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 70704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3099L-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.08W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3099L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.08W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 70704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3099L-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 29645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMP3099L-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - DMP3099L-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DMC2400UV-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2400UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMC2400UV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.03A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.03A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| LM2902AQT14-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| LM2902AQT14-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
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Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - LM2902AQT14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, TSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
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Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| LM2902QS14-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
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Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| LM2902AQS14-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
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IC-Montage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
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euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
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IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| LM2902QS14-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
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Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - LM2902QS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 2mV
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Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| LM2902AQS14-13 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - LM2902AQS14-13 - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 700 kHz, 0.3 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.3V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 700kHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: -20nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT4403-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 46710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT4403-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: DIODES INC. - MMBT4403-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 46710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT4403T-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT4403T-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT4403T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MBR20100CTF-G1 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MBR20100CTF-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220F, 3 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MBR20100CTF-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220F, 3 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MBR20100CT-G1 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MBR20100CT-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220, 3 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MBR20100CT-G1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220, 3 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ZMR250FTA |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZMR250FTA - Linearer Festspannungsregler, positiv, 6.5V bis 20Vin, 2.5Vout und 0.1Aout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100
Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 20
Bauform - Linearregler: SOT-23
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 6.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: DIODES INC. - ZMR250FTA - Linearer Festspannungsregler, positiv, 6.5V bis 20Vin, 2.5Vout und 0.1Aout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 100
Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -55
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 20
Bauform - Linearregler: SOT-23
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 6.5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SMB5925B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1SMB5925B - Zener-Diode, 10 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 1SMB5925B - Zener-Diode, 10 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1N5711WS-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1N5711WS-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 15 mA, 1 V, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 1ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5711
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 1N5711WS-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 70 V, 15 mA, 1 V, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 1ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5711
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SMB5922B |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1SMB5922B - Zener-Diode, 7.5 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 1SMB5922B - Zener-Diode, 7.5 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SMB5921B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1SMB5921B - Zener-Diode, 6.8 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - 1SMB5921B - Zener-Diode, 6.8 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 215676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904T-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904T-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 32464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904LP-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904LP-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 400 mW, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904FA-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904FZ-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904FZ-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
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Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904LP-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Wandlerpolarität: NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904LP-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3904FA-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
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Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3904FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMST3904-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMST3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 200mA
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Bauform - Transistor: SOT-323
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Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMST3904-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 200mA
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 84363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906T-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906LP-7 |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906FA-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906FA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906FZ-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906FZ-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906FZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 925mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906T-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906T-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906LP-7B |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906LP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MMBT3906Q-7-F |
|
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
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usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 350mW
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBT3906Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2295 Stücke:
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