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MMBT3904LP-7

MMBT3904LP-7 Diodes Zetex

ds31835.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
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Technische Details MMBT3904LP-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
380+0.19 EUR
530+ 0.14 EUR
625+ 0.11 EUR
910+ 0.079 EUR
965+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 380
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED ds31835.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 200mA; 1W; X1-DFN1006-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: X1-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
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MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31835-3215659.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN SM SIG 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
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10+ 0.3 EUR
100+ 0.14 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds31835.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009631869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBT3904LP-7 MMBT3904LP-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009631869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT3904LP-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 1040 Stücke:
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