Produkte > YAGEO XSEMI > Alle Produkte des Herstellers YAGEO XSEMI (301) > Seite 3 nach 6
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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XP3NA3R4MT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3NA7R2MT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA7R2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3NA7R2MT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3NA7R2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3NA7R2MT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P010AMT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP3P010H | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP3P010M | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P010YT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3P010YT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.12W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3P050AG | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P050AG | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 716 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P050AG | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-89 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
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XP3P050AM | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P050AM | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP3P050AM | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P055N | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P055N | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P055N | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP3P3R0MT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P3R0MT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP3P3R0MT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P3R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3P3R0MT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP3P3R0MT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP3P3R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP3P7R0EMT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP3R303GMT-L | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4024GEMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4024 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4024GEMT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4024GEMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4024 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4060CMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4060C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4060CMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4060C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4062CMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4062C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4062CMT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP4062CMT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4062CMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4062C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4062CMT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4064CMT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4064CMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4064C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4064CMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4064C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4072CMT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4072CMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4072C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4072CMT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4072C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4072CMT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP4072CMT | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4459YT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4509AGM | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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XP4509AGM | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 2976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4509AGM | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
auf Bestellung 982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4509AGM | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4509A Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4509AGM | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4509A Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4N2R1MT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4N2R1 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4N2R1MT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4N2R1MT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4N2R1 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4N2R5MT | YAGEO XSemi |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4N2R5MT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4N2R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4N2R5MT | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4N2R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4N4R2H | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP4N4R2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4N4R2H | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP4N4R2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4NA1R4CMT-A | YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP4NA1R4C Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP4NA1R4CMT-A | YAGEO XSemi |
![]() |
auf Bestellung 2999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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XP4NA1R4CMT-A | YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
XP3NA3R4MT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 2.48 EUR |
10+ | 2.06 EUR |
100+ | 1.64 EUR |
500+ | 1.39 EUR |
1000+ | 1.18 EUR |
XP3NA7R2MT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP3NA7R2MT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 0.0072 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP3NA7R2MT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
MOSFET N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.04 EUR |
10+ | 1.67 EUR |
100+ | 1.31 EUR |
500+ | 1.11 EUR |
1000+ | 0.9 EUR |
3000+ | 0.85 EUR |
6000+ | 0.81 EUR |
XP3P010AMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Description: MOSFET P CH -30V 18.5A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P010H |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V
Description: MOSFET P CH -30V 18.5A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P010M |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -30V -13 .3A SO-8
MOSFET P-CH -30V -13 .3A SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2.94 EUR |
10+ | 2.46 EUR |
100+ | 1.95 EUR |
250+ | 1.8 EUR |
500+ | 1.63 EUR |
1000+ | 1.48 EUR |
3000+ | 1.28 EUR |
XP3P010YT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP3P010YT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP3P010YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.6 A, 0.01 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.12W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP3P050AG |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
14+ | 1.34 EUR |
16+ | 1.15 EUR |
100+ | 0.79 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
XP3P050AG |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -30V -4. 1A SOT-89
MOSFET P-CH -30V -4. 1A SOT-89
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 1.33 EUR |
10+ | 1.17 EUR |
100+ | 0.8 EUR |
500+ | 0.67 EUR |
1000+ | 0.57 EUR |
2000+ | 0.52 EUR |
5000+ | 0.48 EUR |
XP3P050AG |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P050AM |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -30V -5. 8A SO-8
MOSFET P-CH -30V -5. 8A SO-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 1.2 EUR |
10+ | 1.05 EUR |
100+ | 0.71 EUR |
500+ | 0.6 EUR |
1000+ | 0.52 EUR |
3000+ | 0.44 EUR |
6000+ | 0.43 EUR |
XP3P050AM |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P050AM |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
15+ | 1.18 EUR |
18+ | 1.02 EUR |
100+ | 0.71 EUR |
500+ | 0.59 EUR |
XP3P055N |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
26+ | 0.69 EUR |
30+ | 0.59 EUR |
100+ | 0.41 EUR |
500+ | 0.32 EUR |
XP3P055N |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
MOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 0.69 EUR |
10+ | 0.59 EUR |
100+ | 0.44 EUR |
500+ | 0.35 EUR |
1000+ | 0.27 EUR |
3000+ | 0.25 EUR |
9000+ | 0.21 EUR |
XP3P055N |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P3R0MT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
MOSFET P-CH -30V -33 .5A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.9 EUR |
10+ | 4.95 EUR |
25+ | 4.66 EUR |
100+ | 4.01 EUR |
250+ | 3.78 EUR |
500+ | 3.57 EUR |
1000+ | 3.2 EUR |
XP3P3R0MT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3P3R0MT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP3P3R0MT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
Description: FET P-CH 30V 33.5A 125A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.5A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15040 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
3+ | 5.93 EUR |
10+ | 4.98 EUR |
100+ | 4.02 EUR |
500+ | 3.58 EUR |
1000+ | 3.06 EUR |
XP3P3R0MT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP3P3R0MT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 125 A, 0.003 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3P3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP3P7R0EMT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Description: MOSFET P CH -30V 22A PMPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP3R303GMT-L |
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Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
MOSFET N-CH 30V 31A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 3.48 EUR |
10+ | 2.9 EUR |
100+ | 2.31 EUR |
250+ | 2.13 EUR |
500+ | 1.94 EUR |
1000+ | 1.65 EUR |
3000+ | 1.58 EUR |
XP4024GEMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4024GEMT |
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Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
MOSFET N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.52 EUR |
10+ | 2.09 EUR |
100+ | 1.67 EUR |
250+ | 1.54 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.27 EUR |
3000+ | 1.1 EUR |
XP4024GEMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4060CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4060CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4062CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4062CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4062CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 2.68 EUR |
10+ | 2.19 EUR |
100+ | 1.7 EUR |
500+ | 1.44 EUR |
1000+ | 1.17 EUR |
XP4062CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4062CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.66 EUR |
10+ | 2.18 EUR |
100+ | 1.7 EUR |
500+ | 1.43 EUR |
1000+ | 1.22 EUR |
3000+ | 1.04 EUR |
9000+ | 1.03 EUR |
XP4064CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
MOSFETs N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.75 EUR |
10+ | 2.29 EUR |
100+ | 1.81 EUR |
250+ | 1.75 EUR |
500+ | 1.52 EUR |
1000+ | 1.3 EUR |
3000+ | 1.2 EUR |
XP4064CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4064CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4072CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 30V 23.4 A PMPAK-5x6
MOSFET N-CH 30V 23.4 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.66 EUR |
10+ | 2.18 EUR |
100+ | 1.7 EUR |
500+ | 1.43 EUR |
1000+ | 1.22 EUR |
3000+ | 1.04 EUR |
9000+ | 1.03 EUR |
XP4072CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4072CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4072CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP4072CMT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 2.6 EUR |
10+ | 2.13 EUR |
100+ | 1.65 EUR |
500+ | 1.4 EUR |
1000+ | 1.14 EUR |
XP4459YT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
MOSFET P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.31 EUR |
10+ | 1.9 EUR |
100+ | 1.49 EUR |
500+ | 1.26 EUR |
1000+ | 1.02 EUR |
3000+ | 0.96 EUR |
6000+ | 0.92 EUR |
XP4509AGM |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Description: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
XP4509AGM |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
auf Bestellung 2976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 2.9 EUR |
10+ | 2.41 EUR |
100+ | 1.92 EUR |
250+ | 1.76 EUR |
500+ | 1.6 EUR |
1000+ | 1.45 EUR |
3000+ | 1.26 EUR |
XP4509AGM |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Description: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 2.87 EUR |
10+ | 2.38 EUR |
100+ | 1.89 EUR |
500+ | 1.6 EUR |
XP4509AGM |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4509AGM |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4N2R1MT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4N2R1MT |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
MOSFET N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 5.65 EUR |
10+ | 4.75 EUR |
25+ | 4.47 EUR |
100+ | 3.84 EUR |
250+ | 3.63 EUR |
500+ | 3.4 EUR |
1000+ | 3.06 EUR |
XP4N2R1MT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4N2R5MT |
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Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
MOSFET N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 4.58 EUR |
10+ | 3.82 EUR |
100+ | 3.03 EUR |
250+ | 2.8 EUR |
500+ | 2.53 EUR |
1000+ | 2.18 EUR |
3000+ | 2.06 EUR |
XP4N2R5MT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4N2R5MT |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4N4R2H |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4N4R2H |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4NA1R4CMT-A |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)XP4NA1R4CMT-A |
![]() |
Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
MOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 7.04 EUR |
10+ | 5.91 EUR |
25+ | 5.58 EUR |
100+ | 4.79 EUR |
250+ | 4.52 EUR |
500+ | 4.26 EUR |
1000+ | 3.63 EUR |
XP4NA1R4CMT-A |
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Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
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