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IRF510PBF IRF510PBF
Produktcode: 44439
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Fairchild irf510.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF510-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 35538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
50+1.06 EUR
100+0.99 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+0.99 EUR
163+0.91 EUR
181+0.79 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.41 EUR
250+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0013187856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.03 EUR
157+0.95 EUR
174+0.83 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+0.99 EUR
163+0.91 EUR
181+0.79 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 156
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IRF510PBF Vishay irf510.pdf MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.66 EUR
10+1.47 EUR
100+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.01 EUR
160+0.93 EUR
177+0.81 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 5361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.88 EUR
50+1.11 EUR
100+0.96 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY 3204807.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S Siliconix N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.10 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.10 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 20068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.75 EUR
50+1.34 EUR
100+1.27 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.99 EUR
5000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.29 EUR
400+1.14 EUR
600+1.02 EUR
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+2.97 EUR
10+2.00 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.48 EUR
10+2.00 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510L
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
93+0.77 EUR
152+0.47 EUR
161+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 IRF510
Produktcode: 30002
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IR irf510.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF
Produktcode: 186965
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irf510.pdf IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF(Transistor)
Produktcode: 67239
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 IRF510 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510L IRF510L Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S IRF510S Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRL IRF510STRL Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRR IRF510STRR Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF
Produktcode: 44439
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irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
JHGF: THT
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510-ML
Hersteller: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
135+0.53 EUR
143+0.50 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 35538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.57 EUR
50+1.06 EUR
100+0.99 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
156+0.99 EUR
163+0.91 EUR
181+0.79 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 4600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
110+1.41 EUR
250+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF VISH-S-A0013187856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 6915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
150+1.03 EUR
157+0.95 EUR
174+0.83 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 150
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
156+0.99 EUR
163+0.91 EUR
181+0.79 EUR
500+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
Hersteller: Vishay
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.66 EUR
10+1.47 EUR
100+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
153+1.01 EUR
160+0.93 EUR
177+0.81 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 5361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.88 EUR
50+1.11 EUR
100+0.96 EUR
500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 3204807.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.10 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.10 EUR
100+0.72 EUR
115+0.62 EUR
128+0.56 EUR
136+0.53 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 20068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.75 EUR
50+1.34 EUR
100+1.27 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
2000+0.99 EUR
5000+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
189+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
120+1.29 EUR
400+1.14 EUR
600+1.02 EUR
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
189+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 189
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.97 EUR
10+2.00 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
800+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 1492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.48 EUR
10+2.00 EUR
100+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
153+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 153
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510L
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
93+0.77 EUR
152+0.47 EUR
161+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510
Produktcode: 30002
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irf510.pdf
IRF510
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF
Produktcode: 186965
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irf510.pdf
IC > IC andere
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510PBF(Transistor)
Produktcode: 67239
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510 irf510.pdf
IRF510
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510L
IRF510L
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510S
IRF510S
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRL
IRF510STRL
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRR
IRF510STRR
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF510STRLPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510STRLPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH