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IRF510
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Produktcode: 30002
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 05.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 01.05.135
JHGF: THT
verfügbar 25 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.44 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
Produktrezensionen
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Möglichen Substitutionen IRF510 IR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IRF510PBF Produktcode: 44439 |
Hersteller : Fairchild |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 05.06.2015 Rds(on), Ohm: 0.54 JHGF: THT |
auf Bestellung 149 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Weitere Produktangebote IRF510 nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.66 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF510PBF Produktcode: 44439 |
Hersteller : Fairchild |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 100 Idd,A: 05.06.2015 Rds(on), Ohm: 0.54 JHGF: THT |
auf Bestellung 149 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 46250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 20139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 8793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510 | Hersteller : Siliconix |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510PBF | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF510 | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF510 | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF510 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF510 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF510 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF510PBF Produktcode: 186965 |
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Produkt ist nicht verfügbar
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