| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BD70GA5WEFJ-E2 | ROHM |
 Description: ROHM - BD70GA5WEFJ-E2 - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 14V, 600mV Dropout, 7V/500mAout, HTSOP-J-8Ausgang: Fest Ausgangsstrom: 500 Nominelle feste Ausgangsspannung: 7 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: HTSOP-J Betriebstemperatur, min.: -25 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 14 Eingangsspannung, min.: 4.5 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: 7V 500mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 600 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BD70GA3WEFJ-E2 | ROHM |
Description: ROHM - BD70GA3WEFJ-E2 - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 14V, 450mV Dropout, 7Vout, 300mAout, HTSOP-8 Ausgang: Fest Ausgangsstrom: 300 Nominelle feste Ausgangsspannung: 7 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: HTSOP Betriebstemperatur, min.: -25 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 14 Eingangsspannung, min.: 4.5 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: 7V 300mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 450 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
SCT3017ALGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 118A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
SCT3017ALHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT3017ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 118 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 427 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 427 Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Rds(on)-Prüfspannung: 18 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BH25NB1WHFV-TR | ROHM |
Description: ROHM - BH25NB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 5.5V, 250mV Dropout, 2.5V/150mAout, HVSOF-5 Ausgang: Fest Ausgangsstrom: 150 Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: HVSOF Betriebstemperatur, min.: -40 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 5.5 Eingangsspannung, min.: 2.5 Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 250 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BH7673G-TR | ROHM |
Description: ROHM - BH7673G-TR - Videoverstärker, 1 Verstärker, -40 °C, 85 °C Anzahl der Verstärker: 1 Verstärkerausgang: Differentiell Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SSOP Betriebstemperatur, min.: -40 Spannungsanstieg: - Verstärkungsbandbreite: - Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BH25PB1WHFV-TR | ROHM |
Description: ROHM - BH25PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 2.5Vout, 150mAout, HVSOF-5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BH30NB1WHFV-TR | ROHM |
Description: ROHM - BH30NB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 5.5V, 250mV Dropout, 3Vout, 150mAout, HVSOF-5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BH15PB1WHFV-TR | ROHM |
Description: ROHM - BH15PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 1.5Vout, 150mAout, HVSOF-5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BH30PB1WHFV-TR | ROHM |
Description: ROHM - BH30PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 3Vout, 150mAout, HVSOF-5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BH1726NUC-E2 | ROHM |
Description: ROHM - BH1726NUC-E2 - Umgebungslicht-Fotosensor, (I2C)-Digitalausgang, 30klx Erfassungsreichweite, 2.3V-3.6V, WSON-8 tariffCode: 90278080 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.3V Sensorausgang: Digital (I2C) euEccn: NLR Wellenlänge bei Spitzensensitivität: -nm Bauform des Umgebungslichtsensors: WSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
R6515KNX3C16 | ROHM |
Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 161 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 161 Bauform - Transistor: TO-220AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
R6515KNJTL | ROHM |
Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 184 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 184 Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DTC914TUBTL | ROHM |
Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 400 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: - Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DTC943TUBTL | ROHM |
Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 400mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DTC923TUBTL | ROHM |
Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 400mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DTA144EE3HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DTA144EE3HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
SCT2160KEGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 22 Verlustleistung Pd: 165 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 165 Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16 Rds(on)-Prüfspannung: 18 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
LTR18EZPJ200 | ROHM |
Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Widerstandstyp: Hochleistung Nennleistung: 750mW Widerstand: 20ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: LTR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BU7411SG-TR | ROHM |
Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s) SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
2SA2088U3T106 | ROHM |
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
2SA2088U3T106 | ROHM |
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
RPI-222 | ROHM |
Description: ROHM - RPI-222 - Einweglichtschranke, Fototransistor, Durchsteckmontage, 2 mm, 0.2 mm, 50 mA, 5 V tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Schlitzbreite: 0.2mm usEccn: EAR99 Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Durchsteckmontage Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.3V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Sender/Empfänger-Abstand: 2mm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
KTR10EZPJ681 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 680 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
RGW00TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGTH00TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGTH80TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGW80TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGWX5TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
RGTV60TK65GVC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 76 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33 Bauform - Transistor: TO-3PFM Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGTH80TS65GC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGW00TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGWX5TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGWX5TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGW00TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGW80TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
RGW80TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
ESD18VHYFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: 16V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
ESD27VHYT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 26.41V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 29.19V usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW Sperrspannung: 24V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 100W Begrenzungsspannung Vc, max.: - TVS-Polarität: Bidirektional Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Klemmspannung, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
ESD18VHYFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.86V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 19.74V usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW Sperrspannung: 16V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 100W Begrenzungsspannung Vc, max.: - TVS-Polarität: Bidirektional Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Klemmspannung, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
ESD16VHYT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-23 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: 12V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 225mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
ESR10EZPJ114 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 110 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
R6030KNZC17 | ROHM |
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
R6030JNZC8 | ROHM |
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 30 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 93 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 Verlustleistung: 93 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
ESR10EZPJ305 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 3 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
KTR10EZPJ305 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 3 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
KTR10EZPJ392 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 3.9 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
ESR10EZPJ184 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 180 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
KTR10EZPJ184 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 180 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
RSF015N06TL | ROHM |
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
auf Bestellung 12370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
2SC5658T2LQ | ROHM |
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
VT6K1T2CR | ROHM |
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
VT6X2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Verlustleistung Pd: 150mW Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
VT6Z1T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
VT6Z2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
VT6K1T2CR | ROHM |
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3861 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
VT6Z1T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
VT6X2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz productTraceability: No Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, PNP: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Produktpalette: - Bauform - Transistor: VMT euEccn: NLR rohsCompliant: YES Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V DC-Kollektorstrom: 100mA DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Verlustleistung, NPN: 150mW Qualifikation: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 150mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
VT6X12T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| BD70GA5WEFJ-E2 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BD70GA5WEFJ-E2 - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 14V, 600mV Dropout, 7V/500mAout, HTSOP-J-8
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 500
Nominelle feste Ausgangsspannung: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: HTSOP-J
Betriebstemperatur, min.: -25
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 14
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 600
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BD70GA5WEFJ-E2 - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 14V, 600mV Dropout, 7V/500mAout, HTSOP-J-8
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 500
Nominelle feste Ausgangsspannung: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: HTSOP-J
Betriebstemperatur, min.: -25
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 14
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7V 500mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 600
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BD70GA3WEFJ-E2 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BD70GA3WEFJ-E2 - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 14V, 450mV Dropout, 7Vout, 300mAout, HTSOP-8
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 300
Nominelle feste Ausgangsspannung: 7
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: HTSOP
Betriebstemperatur, min.: -25
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 14
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 450
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BD70GA3WEFJ-E2 - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 14V, 450mV Dropout, 7Vout, 300mAout, HTSOP-8
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 300
Nominelle feste Ausgangsspannung: 7
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: HTSOP
Betriebstemperatur, min.: -25
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 14
Eingangsspannung, min.: 4.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: 7V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 450
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| SCT3017ALGC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SCT3017ALHRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT3017ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 118
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 427
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 427
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - SCT3017ALHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 118
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 427
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 427
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| BH25NB1WHFV-TR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BH25NB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 5.5V, 250mV Dropout, 2.5V/150mAout, HVSOF-5
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: HVSOF
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BH25NB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 5.5V, 250mV Dropout, 2.5V/150mAout, HVSOF-5
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 150
Nominelle feste Ausgangsspannung: 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: HVSOF
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 2.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 2.5V 150mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 250
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BH7673G-TR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BH7673G-TR - Videoverstärker, 1 Verstärker, -40 °C, 85 °C
Anzahl der Verstärker: 1
Verstärkerausgang: Differentiell
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: -
Verstärkungsbandbreite: -
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BH7673G-TR - Videoverstärker, 1 Verstärker, -40 °C, 85 °C
Anzahl der Verstärker: 1
Verstärkerausgang: Differentiell
Versorgungsspannung: 4.5V bis 5.5V
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: -
Verstärkungsbandbreite: -
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BH25PB1WHFV-TR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BH25PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 2.5Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BH25PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 2.5Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BH30NB1WHFV-TR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BH30NB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 5.5V, 250mV Dropout, 3Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BH30NB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 5.5V, 250mV Dropout, 3Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BH15PB1WHFV-TR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BH15PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 1.5Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BH15PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 1.5Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BH30PB1WHFV-TR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BH30PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 3Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BH30PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 3Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BH1726NUC-E2 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BH1726NUC-E2 - Umgebungslicht-Fotosensor, (I2C)-Digitalausgang, 30klx Erfassungsreichweite, 2.3V-3.6V, WSON-8
tariffCode: 90278080
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Sensorausgang: Digital (I2C)
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: -nm
Bauform des Umgebungslichtsensors: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - BH1726NUC-E2 - Umgebungslicht-Fotosensor, (I2C)-Digitalausgang, 30klx Erfassungsreichweite, 2.3V-3.6V, WSON-8
tariffCode: 90278080
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Sensorausgang: Digital (I2C)
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: -nm
Bauform des Umgebungslichtsensors: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| R6515KNX3C16 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 161
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 161
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 161
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 161
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| R6515KNJTL |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DTC914TUBTL |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 400
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 400
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DTC943TUBTL |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DTC923TUBTL |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DTA144EE3HZGTL |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DTA144EE3HZGTL |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SCT2160KEGC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 22
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 22
Verlustleistung Pd: 165
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 165
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 18
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| LTR18EZPJ200 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 750mW
Widerstand: 20ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 750mW
Widerstand: 20ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BU7411SG-TR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| 2SA2088U3T106 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SA2088U3T106 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RPI-222 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RPI-222 - Einweglichtschranke, Fototransistor, Durchsteckmontage, 2 mm, 0.2 mm, 50 mA, 5 V
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schlitzbreite: 0.2mm
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.3V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ROHM - RPI-222 - Einweglichtschranke, Fototransistor, Durchsteckmontage, 2 mm, 0.2 mm, 50 mA, 5 V
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schlitzbreite: 0.2mm
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.3V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KTR10EZPJ681 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| RGW00TS65EHRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGTH00TS65DGC13 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGTH80TS65DGC13 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGW80TS65DHRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGWX5TS65EHRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
| RGTV60TK65GVC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGTH80TS65GC13 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGW00TS65HRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGWX5TS65DHRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGWX5TS65HRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGW00TS65DHRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGW80TS65EHRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RGW80TS65HRC11 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESD18VHYFHT116 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: 16V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: 16V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESD27VHYT116 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESD18VHYFHT116 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESD16VHYT116 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: 12V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: 12V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESR10EZPJ114 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| R6030KNZC17 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| R6030JNZC8 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| ESR10EZPJ305 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| KTR10EZPJ305 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| KTR10EZPJ392 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| ESR10EZPJ184 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| KTR10EZPJ184 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| RSF015N06TL |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
auf Bestellung 12370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC5658T2LQ |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| VT6K1T2CR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| VT6X2T2R |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 150mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 150mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| VT6Z1T2R |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| VT6Z2T2R |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| VT6K1T2CR |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| VT6Z1T2R |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| VT6X2T2R |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: VMT
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
DC-Kollektorstrom: 100mA
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Verlustleistung, NPN: 150mW
Qualifikation: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, PNP: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: VMT
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
DC-Kollektorstrom: 100mA
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Verlustleistung, NPN: 150mW
Qualifikation: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| VT6X12T2R |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)