ZXTP2013GTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTP2013GTA Diodes Zetex
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 3 W.
Weitere Produktangebote ZXTP2013GTA nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Med Power |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
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| ZXTP2013GTA |
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auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTP2013GTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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