ZXTN25100DGQTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN25100DGQTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN25100DGQTA nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZXTN25100DGQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
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ZXTN25100DGQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm |
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ZXTN25100DGQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
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ZXTN25100DGQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN25100DGQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN25100DGQTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN25100DGQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZXTN25100DGQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |