ZXTN2011GTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXTN2011GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote ZXTN2011GTA nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.37 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZXTN2011GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power |
auf Bestellung 2813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
auf Bestellung 28300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Case: SOT223 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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ZXTN2011GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Case: SOT223 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz |
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