ZXMP6A17GQTA Diodes Zetex
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Technische Details ZXMP6A17GQTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote ZXMP6A17GQTA nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.5A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.5A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.5A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.5A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 30 V |
auf Bestellung 955392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V P-Ch Enh FET 20Vgs 2W 125mOhm |
auf Bestellung 4152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP6A17GQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 4.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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ZXMP6A17GQTA | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |