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ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA Diodes Zetex

zxmn6a09g.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details ZXMN6A09GTA Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V.

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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A09G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a09g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN6A09G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : DIODES INCORPORATED ZXMN6A09G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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Mindestbestellmenge: 55
ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Zetex zxmn6a09g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A09G.pdf MOSFET N-Ch 60V 7.5A
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Incorporated ZXMN6A09G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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ZXMN6A09GTA ZXMN6A09GTA Hersteller : Diodes Inc zxmn6a09g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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ZXMN6A09GTA Hersteller : Zetex ZXMN6A09G.pdf N-MOSFET 60V 6.9A ZXMN6A09GTA DIODES TZXMN6a09g
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