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ZVP2106A

ZVP2106A DIODES INCORPORATED

ZVP2106A.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.28A; Idm: -4A; 0.7W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.28A
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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Technische Details ZVP2106A DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - ZVP2106A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ZVP2106A ZVP2106A Hersteller : DIODES INCORPORATED ZVP2106A.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.28A; Idm: -4A; 0.7W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.28A
Pulsed drain current: -4A
Power dissipation: 0.7W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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ZVP2106A ZVP2106A Hersteller : Diodes Incorporated ZVP2106A.pdf MOSFET P-Chnl 60V
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ZVP2106A ZVP2106A Hersteller : DIODES INC. DIODS12278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZVP2106A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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ZVP2106A ZVP2106A Hersteller : Diodes Incorporated ZVP2106A.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V
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