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Technische Details ZVNL110GTA Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 1.1W; SOT223, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.5A, Power dissipation: 1.1W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote ZVNL110GTA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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ZVNL110GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 |
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ZVNL110GTA | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 |
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ZVNL110GTA Produktcode: 86944 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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ZVNL110GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 1.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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ZVNL110GTA | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.5A; 1.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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