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YBS3006G RAG Taiwan Semiconductor
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Technische Details YBS3006G RAG Taiwan Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif., Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS, Type of bridge rectifier: single-phase, Max. off-state voltage: 0.8kV, Load current: 3A, Max. forward impulse current: 110A, Case: YBS, Electrical mounting: SMT, Kind of package: reel; tape, Max. forward voltage: 1V, Features of semiconductor devices: glass passivated, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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YBS3006G RAG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Max. forward impulse current: 110A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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YBS3006G RAG | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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YBS3006G RAG | Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 3A; Ifsm: 110A; YBS Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Max. forward impulse current: 110A Case: YBS Electrical mounting: SMT Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Features of semiconductor devices: glass passivated |
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