Produkte > YAGEO XSEMI > XP65SL380DH
XP65SL380DH

XP65SL380DH YAGEO XSemi


XP65SL380DH-3367863.pdf Hersteller: YAGEO XSemi
MOSFET N-CH 650V 10A TO-252
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+7.36 EUR
10+ 6.18 EUR
25+ 5.83 EUR
100+ 5 EUR
250+ 4.72 EUR
500+ 4.45 EUR
1000+ 4 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details XP65SL380DH YAGEO XSemi

Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP65SL380D Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote XP65SL380DH

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
XP65SL380DH XP65SL380DH Hersteller : YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
XP65SL380DH XP65SL380DH Hersteller : YAGEO XSEMI Description: YAGEO XSEMI - XP65SL380DH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP65SL380D Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)