XP261N7002TR-G Torex Semiconductor
auf Bestellung 7513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
7+ | 0.46 EUR |
10+ | 0.31 EUR |
100+ | 0.2 EUR |
1000+ | 0.095 EUR |
3000+ | 0.076 EUR |
9000+ | 0.058 EUR |
24000+ | 0.055 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details XP261N7002TR-G Torex Semiconductor
Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Weitere Produktangebote XP261N7002TR-G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
XP261N7002TR-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
XP261N7002TR-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
XP261N7002TR-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
XP261N7002TR-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |