![XP10NA1R5TL XP10NA1R5TL](https://www.mouser.com/images/xsemi/lrg/TOLL_SPL.jpg)
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Technische Details XP10NA1R5TL YAGEO XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP10NA1R5TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 347 A, 0.0015 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 347A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.75W, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: XP10NA1R5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote XP10NA1R5TL nach Preis ab 18.16 EUR bis 26.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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XP10NA1R5TL | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 347A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: XP10NA1R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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XP10NA1R5TL | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 347A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: XP10NA1R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 151 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XP10NA1R5TL | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V |
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XP10NA1R5TL | Hersteller : YAGEO XSEMI |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16960 pF @ 80 V |
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