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Technische Details XP10C150M YAGEO XSemi
Description: XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10C150 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote XP10C150M nach Preis ab 1.47 EUR bis 3.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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XP10C150M | Hersteller : XSemi |
 MOSFET Complementary N ch + P ch 100V/-1 |
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XP10C150M | Hersteller : XSEMI |
Description: XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10C150 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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XP10C150M | Hersteller : XSEMI |
Description: XSEMI - XP10C150M - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.15 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10C150 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.15ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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