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VS-MBRB1045-M3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-MBRB1045-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VS-MBRB1045-M3 | Hersteller : Vishay |
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VS-MBRB1045-M3 | Hersteller : VISHAY |
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VS-MBRB1045-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V |
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