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Technische Details VS-GT90DA60U Vishay
Description: VISHAY - VS-GT90DA60U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 146 A, 446 W, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 146A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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VS-GT90DA60U | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-GT90DA60U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 146 A, 446 W, 150 °C, SOT-227tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 146A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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VS-GT90DA60U | Hersteller : Vishay |
Insulated Gate Bipolar Transistor (High Speed Trench IGBT) |
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| VS-GT90DA60U | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: MODULES IGBT - SOT-227 IGBT Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 146 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 446 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA |
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