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VS-GT90DA120U Vishay Semiconductors
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100+ | 48.72 EUR |
480+ | 44.12 EUR |
1120+ | 43.88 EUR |
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Technische Details VS-GT90DA120U Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-GT90DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 169A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 781W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote VS-GT90DA120U nach Preis ab 48.07 EUR bis 61.44 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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VS-GT90DA120U | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 169A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 781W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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VS-GT90DA120U | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 169 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 781 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA |
auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-GT90DA120U | Hersteller : Vishay |
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VS-GT90DA120U | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 106A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 106A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 350A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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VS-GT90DA120U | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 106A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 106A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 350A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw |
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