VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors
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12+ | 285.07 EUR |
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60+ | 277.13 EUR |
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252+ | 275.12 EUR |
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Technische Details VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 300A, Case: Dual INT-A-Pak, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 720A, Technology: Trench, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote VS-GT300YH120N
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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VS-GT300YH120N | Hersteller : Vishay |
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VS-GT300YH120N | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: Dual INT-A-Pak Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 720A Technology: Trench Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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VS-GT300YH120N | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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VS-GT300YH120N | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: Dual INT-A-Pak Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 720A Technology: Trench Mechanical mounting: screw |
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