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VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors


vs-gt300yh120n.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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Technische Details VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 300A, Case: Dual INT-A-Pak, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 720A, Technology: Trench, Mechanical mounting: screw, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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VS-GT300YH120N Hersteller : Vishay vs-gt300yh120n.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 400A 1250000mW 11-Pin Double INT-A-PAK
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VS-GT300YH120N Hersteller : VISHAY vs-gt300yh120n.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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VS-GT300YH120N Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt300yh120n.pdf Description: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK
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VS-GT300YH120N Hersteller : VISHAY vs-gt300yh120n.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
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