VS-FC420SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 37.72 EUR |
| 10+ | 33.52 EUR |
| 100+ | 29.31 EUR |
| 500+ | 25.01 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details VS-FC420SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 435A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 652W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: 0, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote VS-FC420SA10 nach Preis ab 35.68 EUR bis 38.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-FC420SA10 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227 |
auf Bestellung 2078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
VS-FC420SA10 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 435A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 652W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: 0 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
 |
VS-FC420SA10 | Hersteller : Vishay |
SOT-227 Power Module |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
| VS-FC420SA10 | Hersteller : VISHAY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 330A; SOT227B; screw; Idm: 1.13kA Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 330A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.3mΩ Pulsed drain current: 1.13kA Power dissipation: 652W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
| VS-FC420SA10 | Hersteller : VISHAY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 330A; SOT227B; screw; Idm: 1.13kA Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 330A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.3mΩ Pulsed drain current: 1.13kA Power dissipation: 652W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |