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VS-ETH0806-M3

VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-eth0806m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
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Technische Details VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V.

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VS-ETH0806-M3 VS-ETH0806-M3 Hersteller : Vishay Semiconductors vs-eth0806m3.pdf Rectifiers 8A 600V Hyperfast 21ns
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VS-ETH0806-M3 VS-ETH0806-M3 Hersteller : Vishay vs-eth0806m3.pdf Diode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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