VS-EBU15006-F4 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-EBU15006-F4 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 600V 150A POWERTAB, Packaging: Tube, Package / Case: PowerTab®, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150A, Supplier Device Package: PowerTab®, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.63 V @ 150 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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VS-EBU15006-F4 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GP 600V 150A POWERTAB Packaging: Tube Package / Case: PowerTab® Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PowerTab® Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.63 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 600 V |
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VS-EBU15006-F4 Produktcode: 182828 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle |
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VS-EBU15006-F4 | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 150A 100ns 2-Pin(1+Tab) Power Tab Tube |
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