VS-E5PH7512L-N3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-E5PH7512L-N3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 145 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 75A, Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 75 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| VS-E5PH7512L-N3 | Hersteller : Vishay |
 Hyper Fast Rectifier |
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| VS-E5PH7512L-N3 | Hersteller : VISHAY |
VS-E5PH7512L-N3 THT universal diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-E5PH7512L-N3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 75A Supplier Device Package: TO-247AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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