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VS-90EPS12L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 90A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 90 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 8.69 EUR |
25+ | 6.89 EUR |
100+ | 5.91 EUR |
500+ | 5.25 EUR |
1000+ | 4.5 EUR |
2000+ | 4.23 EUR |
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Technische Details VS-90EPS12L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 90A, Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 90 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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VS-90EPS12L-M3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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VS-90EPS12L-M3 | Hersteller : VISHAY |
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