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VS-8EWS16STRL-M3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-8EWS16STRL-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VS-8EWS16STRL-M3 | Hersteller : Vishay |
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VS-8EWS16STRL-M3 | Hersteller : VISHAY |
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VS-8EWS16STRL-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V |
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