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VS-8EWS08STRL-M3 Vishay Semiconductors
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Technische Details VS-8EWS08STRL-M3 Vishay Semiconductors
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A, Case: DPAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: single diode, Max. off-state voltage: 0.8kV, Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage, Leakage current: 0.5mA, Type of diode: rectifying, Max. forward impulse current: 150A, Max. forward voltage: 1.1V, Load current: 8A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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VS-8EWS08STRL-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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VS-8EWS08STRL-M3 | Hersteller : Vishay |
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VS-8EWS08STRL-M3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage Leakage current: 0.5mA Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 8A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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VS-8EWS08STRL-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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VS-8EWS08STRL-M3 | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage Leakage current: 0.5mA Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 8A |
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