VS-3C15ET12S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
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Technische Details VS-3C15ET12S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Current - Max: 15 A, Power Dissipation (Max): 111 W.
Weitere Produktangebote VS-3C15ET12S2L-M3 nach Preis ab 6.18 EUR bis 11.51 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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VS-3C15ET12S2L-M3 | Hersteller : Vishay |
Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK |
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VS-3C15ET12S2L-M3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Current - Max: 15 A Power Dissipation (Max): 111 W |
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