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VS-3C12ET07T-M3

VS-3C12ET07T-M3 Vishay Semiconductors

vs-3c12et07t-m3.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
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Technische Details VS-3C12ET07T-M3 Vishay Semiconductors

Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V.

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VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
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VS-3C12ET07T-M3 Hersteller : Vishay vs-3c12et07t-m3.pdf 650 V Power SiC Gen 3 Merged PIN Schottky Diode, 12 A
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