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VS-3C06ET07T-M3

VS-3C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-3c06et07t-m3.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
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Technische Details VS-3C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V.

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VS-3C06ET07T-M3 Hersteller : VISHAY vs-3c06et07t-m3.pdf VS-3C06ET07T-M3 THT Schottky diodes
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VS-3C06ET07T-M3 Hersteller : Vishay vs-3c06et07t-m3.pdf Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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