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Technische Details VS-3C04ED07T-M3/I Vishay
Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMPD; reel,tape, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: eSMP®; SiC, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: SMPD, Max. forward voltage: 1.5V, Leakage current: 0.2µA, Max. forward impulse current: 29A, Kind of package: reel; tape, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| VS-3C04ED07T-M3/I | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMPD; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: eSMP®; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: SMPD Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 0.2µA Max. forward impulse current: 29A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| VS-3C04ED07T-M3/I | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; SMPD; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: eSMP®; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: SMPD Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 0.2µA Max. forward impulse current: 29A Kind of package: reel; tape |
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