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Technische Details VS-1N3768 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 35A, Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1000 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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VS-1N3768 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203ABPackaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 35A Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1000 V |
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VS-1N3768 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Si 1KV 35A 2-Pin DO-5 |
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