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VS-12EWH06FNTR-M3

VS-12EWH06FNTR-M3 Vishay


vs-12ewh06fn-m3.pdf Hersteller: Vishay
Diode Switching 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details VS-12EWH06FNTR-M3 Vishay

Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

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VS-12EWH06FNTR-M3 VS-12EWH06FNTR-M3 Hersteller : Vishay vs-12ewh06fn-m3.pdf Diode Switching 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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VS-12EWH06FNTR-M3 VS-12EWH06FNTR-M3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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VS-12EWH06FNTR-M3 VS-12EWH06FNTR-M3 Hersteller : Vishay Semiconductors vs-12ewh06fn-m3.pdf Rectifiers Hyperfast 12A 600V 18ns
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VS-12EWH06FNTR-M3 VS-12EWH06FNTR-M3 Hersteller : Vishay vs-12ewh06fn-m3.pdf Diode Switching 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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VS-12EWH06FNTR-M3 VS-12EWH06FNTR-M3 Hersteller : Vishay vs-12ewh06fn-m3.pdf Diode Switching 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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VS-12EWH06FNTR-M3 Hersteller : VISHAY vs-12ewh06fn-m3.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 12A; 18ns; DPAK; Ufmax: 1.34V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 12A
Reverse recovery time: 18ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DPAK
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 110A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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VS-12EWH06FNTR-M3 VS-12EWH06FNTR-M3 Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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VS-12EWH06FNTR-M3 Hersteller : VISHAY vs-12ewh06fn-m3.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 12A; 18ns; DPAK; Ufmax: 1.34V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 12A
Reverse recovery time: 18ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DPAK
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 110A
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