VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
auf Bestellung 6817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 1.9 EUR |
50+ | 1.52 EUR |
100+ | 1.21 EUR |
500+ | 1.02 EUR |
1000+ | 1.01 EUR |
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Technische Details VS-10ETS08S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263AB, Durchlassstoßstrom: 160A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote VS-10ETS08S-M3 nach Preis ab 1.16 EUR bis 2.71 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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VS-10ETS08S-M3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3 |
auf Bestellung 8480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VS-10ETS08S-M3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-10ETS08S-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 10 A, Einfach, 1.1 V, 160 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Durchlassstoßstrom: 160A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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VS-10ETS08S-M3 | Hersteller : Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-10ETS08S-M3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 10A; D2PAK,TO263AB Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: D2PAK; TO263AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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VS-10ETS08S-M3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 10A; D2PAK,TO263AB Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: D2PAK; TO263AB |
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