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VP0808L-G

VP0808L-G MICROCHIP TECHNOLOGY

vp0808.pdf Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -1.1A
Case: TO92
Drain-source voltage: -80V
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
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Technische Details VP0808L-G MICROCHIP TECHNOLOGY

Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY vp0808.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: -1.1A
Case: TO92
Drain-source voltage: -80V
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : Microchip Technology / Atmel VP0808_P_Channel_Enhancement_Mode_Vertical_DMOS_FE-2937023.pdf MOSFET 80V 5Ohm
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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : MICROCHIP VP0808%20B082313.pdf Description: MICROCHIP - VP0808L-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 280 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : Microchip Technology vp0808b082313.pdf Trans MOSFET P-CH Si 80V 0.28A 3-Pin TO-92 Bag
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VP0808L-G
Produktcode: 149245 		VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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VP0808L-G VP0808L-G Hersteller : Microchip Technology VP0808-P-Channel-Enhancement-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20006004A.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 280MA TO92-3
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